根岸 寛 | 広大理

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概要

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著作論文

• 2a-F-5 SORによるTiS_2層間化合物の電子状態
• 25aTF-13 擬2次元導体η-Mo_4O_におけるフォノン振動数と格子定数
• 2p-YG-5 モリブデン酸化物とブルーブロンズの電荷密度波状態におけるコヒーレントフォノン
• 6a-G-19 η-Mo_4O_における電荷密度波状態のフェムト秒分光
• η-Mo_4O_における電荷密度波相転移の時間領域分光測定
• 2p-J-1 擬2次元導体η-およびγ-Mo_4O_のラマン散乱の温度変化
• 31a-J-12 擬2次元伝導体η-Mo_4O_〈11〉のラマン散乱
• 24p-PS-10 Cu-S系の電子構造
• 28p-B-17 TiS_2層間化合物の光電子分光
• 22pM-9 層間化合物Fe_TiS_2の内殻吸収磁気円二色性
• 1p-R-1 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の極低温における輸送現象II
• 31a-N-12 ペロブスカイト型Mn酸化物薄膜の過渡熱起電力効果
• 30a-YP-2 分子性導体DCNQI-Cu系の伝導機構II
• 遍歴電子磁性体Fe_xTiS_2の熱残留磁化の緩和現象 III
• 遍歴電子磁性体Fe_xTiS_2の熱残留磁化の緩和現象
• 31a-YE-1 遍歴電子磁性体Fe_xTis_2の緩和現象とドメイン理論による考察
• 31a-YP-8 希薄磁性半導体Hg_Mn_xTe_Se_yの電流磁気効果
• 3p-PSA-25 電流磁気効果によるFe_xTiS_2の熱残留磁化の緩和測定 III
• 30p-PSA-10 電流磁気効果によるFe_xTiS_2の熱残留磁化の緩和測定 II
• 14a-R-19 電流磁気効果によるFe_xTiS_2の熱残留磁化の緩和測定
• 14a-R-18 クラスターグラスFe_TiS_2における緩和現象
• 31p-PSA-42 層間化合物Fe_xTiS_2における長時間緩和
• 29a-M-4 凝二次元伝導体η-Mo_4O_の強磁場電流磁気効果
• 27p-G-5 Fe_xTiS_2スピングラスの緩和過程 III
• 28a-G-7 化学気相法によるη-Mo_4O_の結晶成長と直視観察 II
• 13a-DF-20 化学気相法によるη-Mo_4O_の結晶成長と直視観察
• 3p-PSA-62 M_xTiS_2(M=Mn, Fe, Co, Ni)の光電子分光によるバンド構造の観測
• 3p-F-1 M_xTiS_2(M:Mn, Fe, Co, Ni)の2p内殻励起と共鳴光電子分光
• 29p-H-2 M_xTiS_2の角度分解光電子分光と2p共鳴(M=Mn, Fe, Co, Ni)
• 12a-DC-11 Ni_TiS_2の価電子帯の角度分解光電子分光と2p共鳴
• 12a-DC-10 MN_TiS_2, Mn_2Sb, MnAlGeの2p内殻励起と電子分光
• 29a-G-13 層間化合物M_xTis_2の低温比熱
• 13a-DF-7 交流法熱量計を用いた層間化合物Fe_xTiS_2の低温比熱測定
• 30a-ZC-5 磁性金属のポイント・コンタクト分光 : 局所加熱効果IV
• 28a-ZJ-4 磁性金属のポイント・コンタクト分光 : 局所加熱効果III
• 26p-ZB-15 磁性金属のポイント・コンタクト分光 : 局所過熱効果II
• 2p-D-18 Mo_4O_のCDW転移へのタングステン置換効果
• 6p-K-10 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の極低温における輸送現象
• 30p-YN-1 波長可変パルスレーザー光を用いたGaAs の過渡熱起電力効果
• 30p-PSA-9 Fe_xTiS_2の非線形磁化率
• 30p-PSA-8 Fe_xTiS_2の弱磁場交流磁化測定 IV
• 29a-G-12 層状半導体-半金属混晶系 TiS_Te_xの結晶育成と輸送現象 II
• 28a-G-10 擬二次元伝導体γ-Mo_4O_の磁場中過渡熱起電力効果
• 28a-G-9 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の磁場中過渡熱起電力効果 II
• 28a-G-8 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の電荷密度波のダイナミックス
• 12p-PSB-56 YBa_2Cu_3O_単結晶の過渡熱起電力効果
• 14a-R-17 Fe_xTiS_2の弱磁場交流磁化測定III
• 14a-K-9 ビスマスの過渡ホール効果の異方性
• 13a-DF-19 擬二次元伝導体 η-Mo_4O_のキャリアダイナミックス : 磁場中過渡熱起電力効果
• 13a-DF-8 層状半導体-半金属混晶系TiS_Te_xの結晶育成と輸送現象
• 13a-DF-6 微小試料用熱起電力測定装置の改良と層状物質への応用
• 6p-C-5 分子性導体DCNQI-Cu系の伝導機構
• 31p-N-13 Ni_TiS_2の角度分解光電子分光
• 30p-S-1 パルス高電場下におけるη-Mo_4O_のCDWのダイナミックス : スクリーニング効果
• パルス高電場下における過渡熱起電力効果 : CDW物質η-Mo_4O_
• 30p-X-11 パルスレーザー光照射による過渡熱起電力効果のシミュレーション II
• 30p-YN-2 パルスレーザー光照射による過渡熱起電力効果のシミュレーション
• 28p-W-9 Ni_xTiS_2(x=1/3, 1/4), Ni/TiS_2の角度分解光電子分光
• 3a-F-10 層状半導体 Bi_Sn_xTe_3の熱電能 II
• 30a-X-5 層状半導体Bi_Sn_xTe_3の熱電能
• 30p-YM-10 層状半導体固溶体 Bi_Sn_xTe_3の価電子帯構造
• 28p-B-14 M_xTiS_2の熱電能II
• 2a-F-4 TiS_2へのcointercalation II
• 2a-M-13 M_xTiS_2(M:3d遷移金属)の輸送現象
• 27a-W-8 η-Mo_4O_の結晶育成条件と輸送現象 II
• 27p-M-16 高圧下におけるW_xMo_O_の輸送現象
• 27p-M-15 η-Mo_4O_の結晶育成条件と輸送現象
• 26a-M-13 層間化合物M_xTiS_2の局所構造 : EXAFS III
• 5p-D-1 層間化合物M_xTiS_2の局所構造 : EXAFS II
• 2p-D-17 η-Mo_4O_のキャリアダイナミックス : 超渡熱起電力効果 II
• 2p-D-16 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の交流電気伝導 II
• 2a-TA-11 η-Mo_4O_のシュブニコフード・ハス振動の圧力効果
• 31p-TB-8 層間化合物M_xTiS_2の局所構造 : EXAFS
• 6a-C-19 高圧下におけるη-Mo_4O_の電流磁気効果
• 4p-A2-14 Fe_xTiS_2の磁性:磁場中冷却効果
• 4p-A2-5 W_xMo_O_の作製と電気的性質
• 27p-G-17 静水圧・強磁場下におけるMo_4O_の輸送現象
• 28p-ZJ-14 Fe_xTiS_2の弱磁場交流磁化測定
• 27p-M-14 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の交流電気伝導III
• 5p-D-2 M_xTiS_2の弱磁場磁化測定
• 2a-TA-9 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の交流電気伝導
• 6a-Z-6 磁性金属のポイントコンタクト分光
• 4p-A2-16 遍歴電子磁性体Fe_xTiS_2のポイント・コンタクト分光
• 29p-H-4 Mo_4O_の電子状態
• 2a-F-3 Fe_xTiS_2のメスバウアー分光
• 30p-YM-9 擬2次元伝導体η-Mo_4O_11 の電荷密度波のダイナミックス II
• 29p-YC-2 電荷密度波物質Mo_4O_の高分解能角度分解光電子分光
• 7a-E-2 層間化合物M_xTiS_2における磁気抵抗効果:Co_xTiS_2
• 1p-YJ-2 電荷密度波物質TaS_2の過渡熱起電力効果
• 1p-YJ-5 層間化合物M_xTiS_2における磁気抵抗効果 : ゲスト依存性
• 7a-E-1 層間化合物M_xTiS_2における磁気抵抗効果:Fe_xTiS_2
• 30p-S-6 層間化合物Mn_xTiS_2における負の巨大磁気抵抗
• 層間化合物M_XTiS_2の磁気抵抗II
• 4a-F-8 γ-Mo_4O_の正・逆光電子分光
• 3p-F-1 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の電荷密度波のダイナミックス IV
• 29a-X-16 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の電荷密度波のダイナミックス III
• 29p-M-12 電荷密度波物質γ-Mo_4O_における新しい量子干渉効果
• 2p-J-2 擬二次元伝導体γ-Mo_4O_の磁場中過渡熱起電力効果II
• 29p-G-7 極低温におけるM_xTiS_2の輸送現象
• 28p-B-18 M_xTiS_2の磁性
• Bi-Sr-Ca-Cu-O薄膜のキャリアダイナミックス : 過渡熱起電力効果
• 1p-YJ-6 層間化合物M_xTiS_2におけるゲスト原子の分布II
• 1p-YJ-4 パルス高電場下におけるη-Mo_4O_のCDWダイナミックスII
• 1p-YJ-3 モリブデン酸化物Mo_nO_の結晶育成
• 7a-YK-2 遍歴電子磁性体Fe_xTiS_2の熱残留磁化の緩和現象V
• 7a-E-8 電荷密度波の変形・並進運動のシミュレーション
• 7a-E-3 層間化合物M_xTiS_2におけるゲスト原子の分布
• 31p-S-4 パルスレーザー光照射による過渡熱起電力効果のシミュレーション IV
• 30p-S-2 パルスレーザー光照射による擬二次元伝導体γ-Mo_4O_の過渡ホール効果
• 28a-PS-34 遍歴電子磁性体Fe_xTiS_2の熱残留磁化の緩和現象IV
• 1a-B-11 分子性導体 DCNQI-Cu 系の過渡熱起電力効果
• 4p-A2-6 η-Mo_4O_の電流磁気効果
• 30p-X-10 波長可変パルスレーザー光を用いたGaAsの過渡熱起電力効果 II
• 29p-G-6 M_xTiS_2のポイント・コンタクト・スペクトルIII
• 27a-ZG-9 ビスマスの過渡ホール効果
• 27a-ZG-8 ビスマスの磁場中過渡熱電力効果
• 27a-W-10 ビスマス単結晶の過渡熱起電力効果
• 31p-N-10 層間化合物 MxTiS_2 の局所構造と平均構造
• 30a-M-15 ビスマスの磁場中過渡熱起電力効果の異方性
• 30a-M-14 ビスマスの過渡ホール効果 II
• 29a-M-5 凝二次元伝導体η-Mo_4O_における電荷密度波の並進運動 II
• 27a-ZG-7 GaAsの過渡熱起電力効果
• 26a-ZG-16 擬二次元伝導体η-Mo_4O_における電荷密度波の並進運動
• 25p-ZG-18 層状半金属TiTe_2の輸送現象とSiによる置換効果
• 25p-ZG-3 Fe_xTiS_2の弱磁場交流磁化測定 II
• 27a-W-9 W_XMO_O_のキャリアダイナミックス : 過度熱起電力効果
• 29p-D-11 層間化合物Fe_xTiS_2の低温比熱
• 28a-C-12 擬二次元伝導体η-Mo_4O_のキャリアダイナミックス:過渡熱起電力効果III
• 27p-PS-56 Bi-Sr-Ca-Cu-O単結晶のキャリアダイナミックス
• 26p-ZB-14 磁性金属のポイント・コンタクト分光 : 局所過熱効果I
• パルスレーザー光照射過渡熱起電力効果のシミュレーションIII
• 2a-M-12 M_xTiS_2(M:3d遷移金属)の磁性
• 4p-A2-15 極低温におけるM_xTiS_2の輸送現象III
• 層間化合物 M_xTiS_2の磁場中比熱
• 31a-YF-11 層間化合物M_xTiS_2 の低温比熱 III
• 2p-J-5 層間化合物M_xTiS_2の低温比熱II
• 5p-F-10 Fe_xTiS_2のスピングラスの緩和過程 II
• 31p-TB-7 Fe_xTiS_2のスピングラスの高速緩和過程
• 2p-J-4 層間化合物Ti_S_2の輸送現象
• 3a-F-13 一次元半導体TiS_3の輸送現象
• 30a-X-8 針状結晶TiS_3及びFe_xTiS_3の結晶育成
• 30p-YM-8 針状結晶TiS_3 の結晶育成
• 3a-F-12 層間化合物M_xTiS_2の磁気抵抗
• 遍歴電子磁性体Fe_xTiS_2の緩和現象とドメイン理論による考察 II
• 2p-J-3 擬二次元伝導体γ-Mo_4O_のCDW転移と輸送特性
• 2a-TA-10 η-Mo_4O_のキャリアダイナミックス : 過渡熱起電力効果
• 6p-Y-7 YBa_2Cu_3O_薄膜のキャリアダイナミックス : 過渡熱起電力効果
• 3a-L1-13 MxTiS2の強磁場磁化過程(半導体,(グラファイト・インターカレーション,ダイカルコゲナイド・インターカレーション))
• 27p-LD-1 M_xTiS_2の比熱III(半導体)
• 27p-LD-14 静水圧下におけるγ-Mo_4O_の輸送現象(半導体)
• 27p-LD-4 Fe_xTiS_2の磁性(半導体)
• 31a-L2-8 強磁場下におけるη一Mo_4O_11の輸送現象(半導体,(A:擬一次元物質,層状物質,ダイカルコゲナイド))
• 27p-LD-5 面内修飾化合物Fe_xTi_S2の電子物性(半導体)
• 31p-FC-10 M_xTis_2の異方性(31p FC 半導体(黒リン,ダイカルコゲナイド・インターカレーション))
• 3p-D2-8 CVT法によるモリブデン酸硫化物の作製と電気的性質(3p D2 半導体(グラファイトインターカレーション・ダイカルゴゲナイド・層状物質),半導体)
• 31p-FC-12 M_xTiS_2の熱電能(31p FC 半導体(黒リン,ダイカルコゲナイド・インターカレーション))
• 31p-FC-8 パルスマグネットの試作とM_xTiS_2への応用(31p FC 半導体(黒リン,ダイカルコゲナイド・インターカレーション))
• 31p-FC-9 M_xTiS_2の高圧下における輸送現象(31p FC 半導体(黒リン,ダイカルコゲナイド・インターカレーション))
• 31a-G-7 η-Mo_4O_の強磁場電流磁気効果(31aG 半導体(ナローギャップ,擬一次元系))
• 28a-H-6 M_xTiS_2の格子定数の圧力依存性(28aH 半導体(光物性・層状物質))
• 28a-H-7 高圧下におけるM_xTiS_2の電流磁気効果(28aH 半導体(光物性・層状物質))
• 2p-D1-6 M_xTiS_2(M:磁性金属)の磁性II(2p D1 半導体(深い不純物・ダイカルコゲナイド・インターカレーション),半導体)
• 3a-L1-12 極低温におけるMxTiS2の輸送現象II(半導体,(グラファイト・インターカレーション,ダイカルコゲナイド・インターカレーション))
• 2p-D1-4 TiS_2における過剰Ti原子の局在準位と不純物散乱(2p D1 半導体(深い不純物・ダイカルコゲナイド・インターカレーション),半導体)
• 1p-YE-9 層間化合物M_xTiS_2の磁場中比熱II(1pYE 磁性(遷移金属合金・化合物),磁性)
• 3P-YE-9 遍歴電子磁性体Fe_xTiS_2の熱残留磁化の緩和現象II(3pYE 磁性(スピングラス,ランダム系,低次元系),磁性)
• 2p-D1-8 TiS_2へのcointercalation(2p D1 半導体(深い不純物・ダイカルコゲナイド・インターカレーション),半導体)
• 2p-D1-5 MxTiS_2(M:磁性金属)の輸送現象II(2p D1 半導体(深い不純物・ダイカルコゲナイド・インターカレーション),半導体)
• 31a-L2-7 静水圧下におけるMo4011の輸送現象(半導体,(A:擬一次元物質,層状物質,ダイカルコゲナイド))
• 28a-H-8 強磁場下におけるFe_xTiS_2の電流磁気効果(28aH 半導体(光物性・層状物質))

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