尾崎 肇 | 早大理工

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概要

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著作論文

• 14a-A-3 Geのgrain boundary
• 27a-YK-4 電荷密度波物質TaS_2の過渡熱起電力効果II
• 12a-S-3 TaS_Se_xの超伝導とCDW
• 20aXD-12 揺らぎ伝導率解析によるBi_2Sr_2(Ca_Y_x)Cu_2O_超伝導単結晶の特性評価II(高温超伝導(多層型,揺らぎ),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24pWA-11 揺らぎ伝導率解析によるBi_2Sr_2(Ca_Y_x)Cu_2O_超伝導単結晶の特性評価(高温超伝導(トンネル分光・輸送特性),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27a-YD-7 揺らぎ伝導率解析によるBi_Ge_XSr_2CaCu_2O_単結晶の特性評価
• 12p-PSB-44 Bi系酸化物超伝導体2212相LPE膜におけるBreak Junctionのトンネル分光II
• 30p-PSA-46 Bi系酸化物超伝導体2223相におけるCuサイトのZn置換効果
• 28p-PS-52 Ni置換(Bi, Pb)-Sr-Ca-Cu-Oでの超伝導揺らぎ伝導率
• Bi_2Sr_2Ca_Nd_xCu_2O_のCu core levelのXPS測定
• Bi系酸化物超伝導体2223相におけるCaサイトのY置換効果
• Bi系酸化物超伝導体2212相におけるCaサイトのMg置換効果
• Bi系酸化物超伝導体2223相におけるCuサイトのNi置換効果
• 30a-TC-5 Bi_2Sr_2Ca_Y_xCu_2O_のCu core levelのXPS測定 II
• 6a-ZA-9 Bi_zSr_zCa_Y_xCu_zO_のCu core levelのXPS測定
• 5a-ZA-5 液相成長法によるBi系酸化物超伝導体の高温相の成長条件
• 5p-PS-85 rf-sputter法により作成したBi-Sr-Ca-Cu-O系酸化物高温超伝導薄膜のXPS特性
• 28p-PS-55 YBa_2Cu_3O_yにおけるHigh Tc相の形成過程とその結晶構造
• 1p-F-7 1T-TaS_2 Commensurate CDW状態のESCA
• 3a-L-6 Nb薄膜での超伝導ゆらぎとpais breaking効果
• 4p-NF-2 超伝導近接系Sn-Cu薄膜のゆらぎ伝導率II
• 3p-J-9 超伝導近接系Sm-Cu薄膜のゆらぎ伝導率
• 19aWD-13 電気化学手法によりSi(111)表面スクラッチに形成したNiドット・アレイのMFMによる評価
• 25aSG-4 Bi_2Sr_2CaCu_2O_単結晶のエネルギーギャップ面内異方性
• 23pSB-5 希薄磁性半導体Pb_Eu_xTeの電気的・磁気的性質
• 27a-YK-6 層状半導体Bi_2Te_3の表面酸化過程のXPS測定
• 6p-E-11 層状半導体Bi_Sn_xTe_3のバンド端構造のトンネル分光
• 30p-S-4 TiSe_2および1T-TaS_2のCDW状態における角度分解型トンネル分光
• 1T-Ta_Hf_xS_2のNC-CDWのSTM観察II
• 貼り合わせSi(111)waferのトンネル分光
• 貼り合わせSi(100)waferのトンネル分光
• 30a-X-2 TiSe_2の角度分解型トンネル分光
• 30p-YM-6 TiSe_S_x のCDW状態のトンネル分光
• 2p-J-10 1T-Ta_Hf_xS_2のNC-CDWのSTM観察
• 2p-J-7 TiSe_S_xのバンド端構造のトンネル分光
• 29a-G-10 層状物質TiSe_2のトンネル分光II
• 13a-DF-4 層状物質TiSe_2のトンネル分光
• 3a-L-10 層状超伝導体の磁気特性
• 31a GR-2 電子-正孔系におけるGoldstone Boson
• 5p-W-8 層状化合物TaS_xSe_の超伝導
• 28p-B-4 1T-TaS_Se_xの電子状態のトンネル測定
• 12a-P-10 層状化合物TaS_Se_xの超伝導
• 19pYB-11 TiSe_S_x系CDW状態の熱起電力測定
• 23pTF-11 1T-TiSe_2の角度分解光電子分光 : excitonic insulator
• 24pZH-8 1T-TiSe_2 の角度分解光電子分光 : CDWの起源
• 31a-ZF-11 貼り合わせSi(111)waferのトンネル分光II
• 29a-ZF-5 TiSe_S_xのCDW状態のトンネル分光II
• トンネル分光による層状構造半導体Bi_2Te_3のバンド端構造の温度依存性
• 3a-F-9 トンネル分光による層状構造半導体Bi_2Te_3およびSb_2Te_3のバンド端構造
• 30p-YM-15 Pb_Eu_xTe価電子帯のトンネル分光
• 23aTR-8 トンネル特性および熱起電力に現れる Bi 系銅酸化物超伝導体 2212 相の擬ギャップ発現温度
• 3a GA-8 1T, 2H, 4Hb TaS_xSe_のトンネルスペクトロスコピー
• 3a GA-7 1T-TaS_2のCDWとエネルギーギャップ
• 3a-G-7 GaAs PINダイオードの負性抵抗
• 6a-C-13 角度分散型トンネリングによる1T-TaS_2のフェルミ面の異方性の観測
• 29a-ZF-10 層状半導体Bi_2Te_3の表面酸化過程のXPS測定II
• 高抵抗半導体の負性抵抗に於るOptical feed back : 半導体 : 表面
• 高抵抗半導体の負性抵抗と電流path : 半導体 : 理論と不安定性
• 深い不純物準位を有するGeの負性抵抗 : 半導体(エピタキシー)
• PIN接合の電気的性質(半導体(p-n接合))
• 5a-A-11 Ge PIN接合によるDouble Injection
• 4p-A-8 GeのGrain Boundary III
• 4p-A-12 rf-SP a-GeO_xのGe3d電子のケミカル・シフト
• 4p-A-11 a-Ge:CuにおけるXPSスペクトル
• 3a-F-15 希薄磁性半導体Pb_Eu_xTeの中濃度域における電気的・光学的特性
• 28p-G-10 SnTeのバンド端構造のトンネル測定III
• 28p-G-9 SnTeのバンド端構造のトンネル測定 II
• 29a-A-9 SnTeのバンド端構造のトンネル測定
• 31a-C-7 トンネル分光によるBi系酸化物超伝導体2212相のNi置換効果
• 29p-K-8 [(La_M_x)O]Cu_Ni_yS系(M=Ca, Sr:y=0, y=x)のXPS
• 29a-K-8 CaサイトをY置換したBi系酸化物超伝導体2212相におけるSr, Ca相互置換効果 IV
• CaサイトをY置換したBi系酸化物超伝導体2212相におけるSr, Ca相互置換効果III
• 2p-B-16 GeO_2 rf-SP a-Geの光学的性質
• 14p-K-8 音響振動電流のおこる判定基準
• 7a-G-3 圧電半導体における電流振動
• CdSの電流飽和III : 半導体 : 不安定性
• 3a-B4-1 平面原子配列間の角度分解型トンネリングスペクトロスコピー
• 23pZR-16 トンネル分光による金属-絶縁体転移物質VO_2の転移前駆現象(23pZR V系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 28aUE-8 トンネル分光による相転移温度付近でのWドープVO_2の電子状態密度(28aUE モット転移,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• Bi系酸化物超伝導体2212相における相互置換状態と変調構造
• CaサイトをY置換したBi系酸化物超伝導体2212相におけるSr, Ca相互置換効果
• 2a-BC-9 超伝導近接系に対するdc Josephson電流の計算
• 12p-S-8 超伝導近接系におけるトンネリング特性
• 12p-S-1 超伝導近接効果における界面付近の不純物の影響II
• 6a-C-1 超伝導近接効果における界面付近の不純物の影響
• 7a-G-5 スパッタNB膜のトンネリング特性
• 3a-KC-1 Sn-Ge 多層薄膜の超伝導
• 23a-T-4 Sn-Ge多層薄膜の超伝導
• 2a-M-11 1T-TaS_2のcommensurate相のトンネリングスペクトロスコピー
• 4p-A2-8 IT-TaS_2のCDWのSTMによる観察
• 1p-YJ-2 電荷密度波物質TaS_2の過渡熱起電力効果
• 6a-K-1 液相成長法によるBi系酸化物超伝導体2212相の2201相からの生成過程 III
• 29a-K-7 液相成長法によるBi系酸化物超伝導体2212相の2201相からの生成過程II
• 液相成長法によるBi系酸化物超伝導体2212相の2201相からの生成過程
• 25a-ZG-3 トンネル分光法によるGe(111)面の表面状態の観測
• 12p-PSA-50 LPE法によるBi系2212相におけるBi, Sr, Ca相互置換と超伝導特性
• 30p-PSB-18 Bi系酸化物超伝導体2212相LPE膜におけるへき開接合のトンネル分光
• 26p-PSB-38 LPE法によるBi系酸化物超伝導体2212相におけるSrとCaの相互置換状態
• 26p-PSB-37 LPE法によるBi_2Sr_2Ca_Nd_xCu_2O_系酸化物のXPS測定
• 26p-PSB-36 LPE法によるBi系酸化物超伝導体2212相のCaサイトのGd置換効果
• 28p-PS-59 PE法によるBi系酸化物超伝導体2212相のCaサイトのNd置換効果
• 28p-APS-12 LPE法によるBi系酸化物超伝導体2212相におけるCaのY置換効果
• 28p-APS-11 Bi系酸化物超伝導体2212相におけるSrのBa置換効果
• 28p-APS-10 Bi系酸化物超伝導体2212相におけるCaのPb置換効果
• 28p-APS-9 LPE法によるBi系酸化物超伝導体2212相におけるYドーピング効果
• 27a-ZL-1 Bi系酸化物超伝導体2212相における相互置換・欠損したSrおよびCaのXPS測定
• 7p-L-2 GeのGrain Boundary II
• 5a-R-6 非晶質Ge-Sn薄膜の状態密度(トンネル測定)
• 7a-F-7 音響電流振動が持続する条件
• 7p-B-18 不純物ポテンシャルのスクリーニングIII
• 3p-N-9 有効質量の異方性を考慮した時のScreeninhg Potentialの計算(II)
• 1a-TC-5 不純物ポテンシャルのスクリーニング
• 16a-A-15 光電導性CdSの電流振動
• 真性半導体負性抵抗領域の電流Path : 半導体 : 雑
• Minority Carrier Injectionにともなう負性抵抗(半導体(プラズマ))
• 3a-M-3 非晶質Ge-Sn薄膜の屈折率
• 5a-H-11 非晶質Ge-Sn薄膜の電気的性質
• 27a-ZH-17 XPSによるPb_Eu_xTeの電子構造
• 28p-PS-61 (La_Pr_x)Ba_2Cu_3O_yの超伝導と磁性II
• 30p-W-14 角度分解型トンネル分光によるn-Siのフェルミ面の異方性の観測 II
• 3a-B-7 1T-TaS_2のC-CDW移転におけるエネルギー・ギャップの変化
• 6a-KL-8 非晶質Ge-Sn薄膜の電気的.光学的性質
• 23p-G-4 非晶質Ge-Bi薄膜の電気的性質
• 30a-Y-3 角度分解型トンネリングによるn-Siのフェルミ面の異方性の観測
• 12a-F-14 Inを含む非晶質Ge薄膜の電気的性質
• 5a-H-10 縮退したGeの移動度比の計算
• 4p-B-16 G.D. a-Si の Field Effect
• 3a-A-10 1T-TaS_2 nearly C・CDW状態エネルギーギャップの温度変化
• 29p-N-3 粒子数不定多粒子モンテカルロ法によるIII-V半導体における非線形輸送の解析
• 27p-LE-8 RFスパッタリングによるa-Sb膜のギャップ内状態密度(半導体)
• 1p-PS-121 超伝導体YBa_2Cu_3O_yのトンネル分光における高バイアス特性(低温(酸化物超伝導体))
• 1p-PS-120 超伝導体YBa_2Cu_3O_yにおけるトンネル分光測定(低温(酸化物超伝導体))
• 6aPS-118 熱起電力による1T-TaS2のCDWへのTi置換効果(4f・5f電子系,重い電子系,遷移金属酸化物,領域8)
• 1a-YK-11 CaサイトをY置換したBi系酸化物超伝導体2212相におけるSr, Ca相互置換効果II(1aYK 低温(高温超伝導・結晶化学,高圧物性),低温)
• 3p-YJ-4 LPE法によるBi系酸化物超伝導体2212相の光学特性(3pYJ 低温(高温超伝導・スペクトロスコピー),低温)
• 3a-B2-2 Nb薄膜での超伝導ゆらぎとpair breaking効果II(3a B2 低温)
• 30p-CA-11 Ta薄膜での超伝導ゆらぎ伝導率(低温)
• 29p-TC-7 平面原子配列間の角度分解型トンネリングスペクトロスコピーII(29pTC 表面・界面)
• 30a-CQ-8 2次元性インジウム-スズ酸化物での超伝導(低温)

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