木俣 守彦 | 早大理工
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概要
関連著者
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木俣 守彦
早大理工
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飯田 昌盛
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東海大学工学部電子工学科
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尾崎 肇
早大 理工
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木俣 守彦
早大・電気物理
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岩城 俊之
早大理工
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岡本 和生
早大理工
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飯島 昌盛
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平松 友康
早大理工
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浅野 正通
早大理工
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有吉 昶
電々公社通研
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有吉 昶
早大・理工
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増永 彦太郎
早大理工
著作論文
- 14a-A-3 Geのgrain boundary
- 3a-G-9 順及び逆方向にバイアスしたjunction microplasma
- 5p-R-12 Relaxation Case半導体の伝導機構
- 4a-KL-12 高抵抗率P型Ge:AuのHall係数
- 3a-G-7 GaAs PINダイオードの負性抵抗
- 3a-H-3 Au doped GeのAbsolute Negative Resistance
- 15a-K-14 Deep levelを含む半導体の電流振動
- 高抵抗半導体の負性抵抗に於るOptical feed back : 半導体 : 表面
- 高抵抗半導体の負性抵抗と電流path : 半導体 : 理論と不安定性
- PIN接合の電気的性質(半導体(p-n接合))
- 5a-A-11 Ge PIN接合によるDouble Injection
- 4p-A-8 GeのGrain Boundary III
- 7p-L-2 GeのGrain Boundary II
- 2a-TC-16 Cu doped Geによる電圧振動(II)
- 16p-A-11 Gu DOPED Geによる電圧振動
- 3p-F-8 Ge 中に於ける Au 析出面の形成
- 2a-N-3 Ge Grain BoundaryのSheet Conduction
- 7a-F-7 音響電流振動が持続する条件
- 7p-B-18 不純物ポテンシャルのスクリーニングIII
- 7p-B-4 Electrical Conduction of Germanium Grain Boundary
- 3p-N-9 有効質量の異方性を考慮した時のScreeninhg Potentialの計算(II)
- 1a-TC-5 不純物ポテンシャルのスクリーニング
- 16a-A-15 光電導性CdSの電流振動
- 真性半導体負性抵抗領域の電流Path : 半導体 : 雑
- Minority Carrier Injectionにともなう負性抵抗(半導体(プラズマ))
- 5a-R-13 Photovoltage法による半導体の界面準位密度
- 15G-19 ZnSのELECTROLUMINESCENCE
- 11a-M-12 固態整流器に現れる負性抵抗
- 2F11 Hole Injection の機構の考察