高抵抗半導体の負性抵抗に於るOptical feed back : 半導体 : 表面
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
14a-A-3 Geのgrain boundary
-
27a-YK-4 電荷密度波物質TaS_2の過渡熱起電力効果II
-
12a-S-3 TaS_Se_xの超伝導とCDW
-
20aXD-12 揺らぎ伝導率解析によるBi_2Sr_2(Ca_Y_x)Cu_2O_超伝導単結晶の特性評価II(高温超伝導(多層型,揺らぎ),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
-
24pWA-11 揺らぎ伝導率解析によるBi_2Sr_2(Ca_Y_x)Cu_2O_超伝導単結晶の特性評価(高温超伝導(トンネル分光・輸送特性),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
27a-YD-7 揺らぎ伝導率解析によるBi_Ge_XSr_2CaCu_2O_単結晶の特性評価
-
12p-PSB-44 Bi系酸化物超伝導体2212相LPE膜におけるBreak Junctionのトンネル分光II
-
30p-PSA-46 Bi系酸化物超伝導体2223相におけるCuサイトのZn置換効果
-
28p-PS-52 Ni置換(Bi, Pb)-Sr-Ca-Cu-Oでの超伝導揺らぎ伝導率
-
Bi_2Sr_2Ca_Nd_xCu_2O_のCu core levelのXPS測定
-
Bi系酸化物超伝導体2223相におけるCaサイトのY置換効果
-
Bi系酸化物超伝導体2212相におけるCaサイトのMg置換効果
-
Bi系酸化物超伝導体2223相におけるCuサイトのNi置換効果
-
30a-TC-5 Bi_2Sr_2Ca_Y_xCu_2O_のCu core levelのXPS測定 II
-
6a-ZA-9 Bi_zSr_zCa_Y_xCu_zO_のCu core levelのXPS測定
-
5a-ZA-5 液相成長法によるBi系酸化物超伝導体の高温相の成長条件
-
5p-PS-85 rf-sputter法により作成したBi-Sr-Ca-Cu-O系酸化物高温超伝導薄膜のXPS特性
-
28p-PS-55 YBa_2Cu_3O_yにおけるHigh Tc相の形成過程とその結晶構造
-
1p-F-7 1T-TaS_2 Commensurate CDW状態のESCA
-
3a-L-6 Nb薄膜での超伝導ゆらぎとpais breaking効果
-
4p-NF-2 超伝導近接系Sn-Cu薄膜のゆらぎ伝導率II
-
3p-J-9 超伝導近接系Sm-Cu薄膜のゆらぎ伝導率
-
19aWD-13 電気化学手法によりSi(111)表面スクラッチに形成したNiドット・アレイのMFMによる評価
-
25aSG-4 Bi_2Sr_2CaCu_2O_単結晶のエネルギーギャップ面内異方性
-
23pSB-5 希薄磁性半導体Pb_Eu_xTeの電気的・磁気的性質
-
27a-YK-6 層状半導体Bi_2Te_3の表面酸化過程のXPS測定
-
6p-E-11 層状半導体Bi_Sn_xTe_3のバンド端構造のトンネル分光
-
30p-S-4 TiSe_2および1T-TaS_2のCDW状態における角度分解型トンネル分光
-
1T-Ta_Hf_xS_2のNC-CDWのSTM観察II
-
貼り合わせSi(111)waferのトンネル分光
-
貼り合わせSi(100)waferのトンネル分光
-
30a-X-2 TiSe_2の角度分解型トンネル分光
-
30p-YM-6 TiSe_S_x のCDW状態のトンネル分光
-
2p-J-10 1T-Ta_Hf_xS_2のNC-CDWのSTM観察
-
2p-J-7 TiSe_S_xのバンド端構造のトンネル分光
-
29a-G-10 層状物質TiSe_2のトンネル分光II
-
13a-DF-4 層状物質TiSe_2のトンネル分光
-
3a-G-9 順及び逆方向にバイアスしたjunction microplasma
-
3a-L-10 層状超伝導体の磁気特性
-
31a GR-2 電子-正孔系におけるGoldstone Boson
-
5p-W-8 層状化合物TaS_xSe_の超伝導
-
28p-B-4 1T-TaS_Se_xの電子状態のトンネル測定
-
12a-P-10 層状化合物TaS_Se_xの超伝導
-
5p-R-12 Relaxation Case半導体の伝導機構
-
4a-KL-12 高抵抗率P型Ge:AuのHall係数
-
19pYB-11 TiSe_S_x系CDW状態の熱起電力測定
-
23pTF-11 1T-TiSe_2の角度分解光電子分光 : excitonic insulator
-
24pZH-8 1T-TiSe_2 の角度分解光電子分光 : CDWの起源
-
31a-ZF-11 貼り合わせSi(111)waferのトンネル分光II
-
29a-ZF-5 TiSe_S_xのCDW状態のトンネル分光II
-
トンネル分光による層状構造半導体Bi_2Te_3のバンド端構造の温度依存性
-
3a-F-9 トンネル分光による層状構造半導体Bi_2Te_3およびSb_2Te_3のバンド端構造
-
30p-YM-15 Pb_Eu_xTe価電子帯のトンネル分光
-
23aTR-8 トンネル特性および熱起電力に現れる Bi 系銅酸化物超伝導体 2212 相の擬ギャップ発現温度
-
3a GA-8 1T, 2H, 4Hb TaS_xSe_のトンネルスペクトロスコピー
-
3a GA-7 1T-TaS_2のCDWとエネルギーギャップ
-
3a-G-7 GaAs PINダイオードの負性抵抗
-
6a-C-13 角度分散型トンネリングによる1T-TaS_2のフェルミ面の異方性の観測
-
29a-ZF-10 層状半導体Bi_2Te_3の表面酸化過程のXPS測定II
-
3a-H-3 Au doped GeのAbsolute Negative Resistance
-
15a-K-14 Deep levelを含む半導体の電流振動
-
高抵抗半導体の負性抵抗に於るOptical feed back : 半導体 : 表面
-
高抵抗半導体の負性抵抗と電流path : 半導体 : 理論と不安定性
-
深い不純物準位を有するGeの負性抵抗 : 半導体(エピタキシー)
-
PIN接合の電気的性質(半導体(p-n接合))
-
5a-A-11 Ge PIN接合によるDouble Injection
-
4p-A-8 GeのGrain Boundary III
-
4p-A-12 rf-SP a-GeO_xのGe3d電子のケミカル・シフト
-
4p-A-11 a-Ge:CuにおけるXPSスペクトル
-
3a-F-15 希薄磁性半導体Pb_Eu_xTeの中濃度域における電気的・光学的特性
-
28p-G-10 SnTeのバンド端構造のトンネル測定III
-
28p-G-9 SnTeのバンド端構造のトンネル測定 II
-
29a-A-9 SnTeのバンド端構造のトンネル測定
-
31a-C-7 トンネル分光によるBi系酸化物超伝導体2212相のNi置換効果
-
29p-K-8 [(La_M_x)O]Cu_Ni_yS系(M=Ca, Sr:y=0, y=x)のXPS
-
29a-K-8 CaサイトをY置換したBi系酸化物超伝導体2212相におけるSr, Ca相互置換効果 IV
-
CaサイトをY置換したBi系酸化物超伝導体2212相におけるSr, Ca相互置換効果III
-
2p-B-16 GeO_2 rf-SP a-Geの光学的性質
-
14p-K-8 音響振動電流のおこる判定基準
-
7a-G-3 圧電半導体における電流振動
-
CdSの電流飽和III : 半導体 : 不安定性
-
3a-B4-1 平面原子配列間の角度分解型トンネリングスペクトロスコピー
-
23pZR-16 トンネル分光による金属-絶縁体転移物質VO_2の転移前駆現象(23pZR V系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
7p-L-2 GeのGrain Boundary II
-
2a-TC-16 Cu doped Geによる電圧振動(II)
-
16p-A-11 Gu DOPED Geによる電圧振動
-
3p-F-8 Ge 中に於ける Au 析出面の形成
-
2a-N-3 Ge Grain BoundaryのSheet Conduction
-
7a-F-7 音響電流振動が持続する条件
-
7p-B-18 不純物ポテンシャルのスクリーニングIII
-
7p-B-4 Electrical Conduction of Germanium Grain Boundary
-
3p-N-9 有効質量の異方性を考慮した時のScreeninhg Potentialの計算(II)
-
1a-TC-5 不純物ポテンシャルのスクリーニング
-
16a-A-15 光電導性CdSの電流振動
-
真性半導体負性抵抗領域の電流Path : 半導体 : 雑
-
Minority Carrier Injectionにともなう負性抵抗(半導体(プラズマ))
-
5a-R-13 Photovoltage法による半導体の界面準位密度
-
15G-19 ZnSのELECTROLUMINESCENCE
-
11a-M-12 固態整流器に現れる負性抵抗
-
2F11 Hole Injection の機構の考察
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク