深い不純物準位を有するGeの負性抵抗 : 半導体(エピタキシー)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1964-04-06

著者

• 尾崎 肇

  早大理工

• 飯田 昌盛

  早工理工

• 飯田 昌盛

  早大理工

• 大俣 守彦

  早大理工

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