根岸 寛 | 広大院先端物質
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
根岸 寛
広大院先端物質
-
佐々木 実
山形大理
-
井上 正
広大理
-
根岸 彩子
広大放射光セ
-
根岸 彩子
広大院先端物質
-
佐々木 実
広大院先端物質
-
根岸 寛
広大理
-
井上 正
広大院先端
-
佐々木 実
広大理
-
生天目 博文
広大放射光
-
根岸 寛
広大先端研
-
島田 賢也
広大放射光
-
生天目 博文
広大放射光セ
-
宮嶋 直樹
京大院工
-
谷口 雅樹
広大放射光セ
-
宮嶋 直樹
広大院先端
-
黒岩 芳弘
岡山大理
-
澤田 昭勝
岡山大理
-
Sawada A
Muroran Inst. Technology Muroran
-
Sakai A
Muroran Inst. Technol. Muroran
-
東口 光晴
広大院理
-
青柳 忍
名大工
-
赤嶺 博康
岡山大理
-
青柳 忍
岡山大理
-
磯部 義興
広大院先端
-
小林 宏司
日大薬
-
大島 久
日大薬
-
杉原 硬
日大薬
-
成村 孝正
広大院理
-
磯部 義興
名大院工
-
山崎 健太郎
広大院理
-
呉 光日
広大院先端
-
鈴木 真一郎
日大薬
-
杉原 硬
東工大(院)理工
-
仲武 昌史
広大放射光
-
木曽田 賢治
和歌山大教育
-
門松 秀興
広大低セ
-
佐藤 宏明
広大院先端
-
谷口 雅樹
広大院理
-
佐藤 仁
広大放射光セ
-
徐 法強
中国科学技術大
-
柿田 真吾
広大院先端
-
佐保井 貴広
広大院先端
-
高瀬 浩一
日大理工
-
高野 良紀
日大理工
-
木村 昭夫
広大院理
-
菅 健一
阪大極限セ
-
大西 彰正
山形大理
-
喬 山
広大放射光セ
-
有田 将司
広大放セ
-
生天目 博文
広大放セ
-
谷口 雅樹
広大放セ
-
Kulbachinskii V.
モスクワ大
-
加藤 礼三
東大物性研
-
V.a Kulbachinskii
Moscow State Univ.
-
播磨 弘
阪大工
-
伊佐 隆志
広大院先端
-
高 文秀
岩谷産業
-
佐藤 宏明
広大理
-
山田 洋
広大理
-
播磨 弘
京都工芸繊維大学学芸学部電子情報工学科
-
高文 秀
広大理
-
根岸 彩子
広大理
-
井野 明洋
広大院理
-
有田 将司
広大放射光セ
-
岡村 英一
神戸大理
-
西堀 英治
名大工
-
東口 光晴
広大理
-
崔 小宇
広大院理
-
尾崎 肇
早大理工
-
金道 浩一
阪大極限セ
-
谷口 伸彦
筑波大物理
-
島田 賢也
広大放セ
-
竹田 幸治
広大放セ
-
喬 山
広大放セ
-
寺上 光司
福井大工
-
高田 昌樹
名大工
-
坂田 誠
名大工
-
小矢野 幹夫
JAIST
-
木村 敬
NTT基礎研
-
笠谷 祐史
静岡理工科大
-
中島 信一
産総研
-
中島 信一
産技総研
-
阪井 清美
情通機構関西
-
谷 正彦
福井大学遠赤外領域開発研究センター
-
中島 信一
阪大工
-
仲武 昌史
物構研PF
-
木曽田 賢治
阪大工
-
長谷 宗明
阪大工
-
中島 信一
阪大工, 阪大超伝導セ
-
佐藤 宣史
岡山大理
-
関澤 和子
日大理工
-
V.A Kulbachinskii
モスクワ大
-
宮嶋 直樹
広大理
-
呉 光日
広大理
-
木村 敬
神奈川大理
-
尾崎 肇
早大先進理工
-
久保田 洋二
日本大学理工学部物理学科
-
Qiao S
Hiroshima Synchrotron Radiation Center Hiroshima University
-
長谷 宗明
物質・材料研究機構 材料研究所
-
井野 明洋
広大放射光
-
上田 知生
広大理
-
長谷 宗明
筑波大数物
-
佐保井 貴広
広大理
-
柿田 真吾
広大理
-
木村 敬
東大理:東大新領域:早大理工総研
-
萩原 政幸
阪大極限セ
-
金道 浩一
東大物性研
-
山崎 篤志
甲南大理工
-
関山 明
阪大基礎工
-
室 隆桂之
JASRI
-
菅 滋正
阪大基礎工
-
今田 真
阪大基礎工
-
三浦 雄一
広大院理
-
相浦 義弘
産総研
-
山崎 篤志
阪大基礎工
-
鳴海 康雄
Crest:阪大極限セ
-
福井 一俊
福井大学遠赤外領域開発センター
-
木下 豊彦
東大物性研
-
三浦 良雄
東北大・通研
-
竹田 幸治
広大放射光セ
-
井野 明洋
広大放セ
-
山崎 健太郎
広大理
-
福井 一俊
福井大工
-
山本 一成
広大院先端物質
-
川崎 信太郎
阪大極限セ
-
Kaminskii Yu.
モスクワ大
-
竹田 幸治
原子力機構
-
生天目 博文
東大理
-
高橋 由美子
日大理工
-
菅 健一
東大物性研
-
Titova S.
Institute of Metallurgy
-
菖蒲 敬久
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門放射光科学研究ユニット
-
松原 秀樹
Engineering Research Institute University Of Tokyo
-
鳴海 康雄
阪大極限セ
-
藤沢 正美
東大物性研
-
野原 進一
東大理
-
藤本 浩二
広大院理
-
佐藤 仁
広大院理
-
植田 義文
呉高専
-
青柳 忍
JASRI
-
佐藤 仁
広大放セ
-
辻 憲一郎
広大院理
-
植田 義文
呉工業高等専門学校電気情報工学科
-
関沢 和子
日大理工
-
小矢野 幹夫
北陸先端大 マテリアル
-
Kulbachinskii V.
Physics Faculty Moscow State Univ.
-
植田 義文
徳山工業高等専門学校情報電子工学科
-
斎藤 祐児
Jaeri
-
菖蒲 敬久
千葉大自然
-
阪井 清美
郵政省通信総研関西
-
谷 正彦
通信総研関西
-
阪井 清美
通信総研関西
-
橋本 光生
北陸先端大材料
-
谷 正彦
郵政省通信総研関西
-
坂田 誠
名古屋大学
-
川崎 信太郎
阪大極限科学研究センター
-
室 桂隆之
JASRI SPring-8
-
松原 秀樹
東大物性研
-
藤沢 雅美
東大物性研
-
三浦 良雄
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
-
宇都宮 裕
阪大基礎工
-
新井 龍志
阪大基礎工
-
佐藤 敬範
阪大基礎工
-
樫田 幹
阪大基礎工
-
長友 雄司
阪大基礎工
-
久保田 洋二
日大理工
-
三島 祐司
広大院先端
-
久保田 洋二
大理工
-
MARCHENKOV V.V.
ADSM.,Inst. Met. Phys.(Ekaterinburg, Russia)
-
高 文秀
広大院先端
-
高 文秀
広大理
-
磯部 義興
広大理
-
山本 一成
広大先端研
-
三須 明
東大理
-
福井 一俊
福井大遠赤
-
谷口 雅樹
広大 理
-
長友 健治
広大先端研
-
YARMOSHENKO Yu.
Institute of Metal Physics, Russian Academy of Sciences-Ural Division
-
Yarmoshenko Yu.
Institute Of Metal Physics Urals Division Of Ras
-
Yarmoshenko Yu.
Institute Of Metal Physics Russian Academy Of Sciences-ural Division
-
菅 健一
広大院先端
-
中田 亨
阪大極限センター
-
Shen Qing
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering University Of Tokyo
-
野原 進一
東理大理
-
菅 滋正
広大
-
Titov A.
Institute of Metal Physics, Urals Division of RAS
-
Kuznetsova T.
Institute of Metal Physics, Urals Division of RAS
-
Marchenkov V.v.
Adsm. Inst. Met. Phys.(ekaterinburg Russia)
-
Shen Z.-x
Stanford Univ.
-
Matsuura A.Y
Stanford Univ.
-
Kim C
Stanford Univ.
-
Harris J.M
Stanford Univ.
-
White P.J
Stanford Univ.
-
長友 健治
広大院先端
-
Titova S.
Institute Of Metallurgy Urals Division Of Ras
-
Titov A.
Institute Of Metal Physics Urals Division Of Ras
-
Kuznetsova T.
Institute Of Metal Physics Urals Division Of Ras
-
伊佐 隆志
広大理
-
根岸 寛
広大・理
著作論文
- 21pYD-1 層状物質TiSe_2の光電子分光II(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 22pPSA-79 CDW物質η-Mo_4O_の特異な量子ホール効果と磁場誘起Shubnikov-de Haas振動(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aPS-31 層状物質TiSe_2の光電子分光(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27pYD-2 1T-TaS_2の価電子帯及び内殻光電子スペクトルの温度依存性(電荷密度波)(領域6)
- 20pTG-11 1T-TaS_2 の角度分解光電子分光
- 30pPSA-11 電荷密度波物質 1T-TaS_2 の光電子分光
- 20aYJ-4 マグネリ相Mo_nO_の赤外反射スペクトル
- 20aYJ-3 二次元電荷密度波物質η-Mo_4O_における負の熱膨張
- 28aTC-7 G_xTiS_2におけるゲスト原子分布と層間距離
- 28aTC-6 精密電子密度分布からみたη-Mo_4O_の電子状態
- 28aTC-5 Mo_4O_のMo-O原子間距離とbond strength
- 28aTC-4 M_xTaS_2 (M: 3d 遷移金属)における特異な輸送現象
- 28aTC-2 lT-Tas_2におけるモットギャップ内構造形成と局在-超伝導転移
- 25aWF-6 擬二次元伝導体η-Mo_4O_における電荷密度波の変形・並進運動に及ぼす端効果
- 25aSA-7 層状半導体Sb_Sn_xTe_3(0≤x≤0.015)における強磁場磁気抵抗とホール抵抗測定
- 25aSA-3 層間化合物Ag_xTiS_2における秩序一無秩序転移のシミュレーション
- 25aSA-2 モリブデン酸化物η-Mo_4O_の放射光を用いた電子密度レベルでの構造研究
- 25aSA-1 モリブデン酸化物Mo_nO_のXANES
- 25aTF-13 擬2次元導体η-Mo_4O_におけるフォノン振動数と格子定数
- 2p-YG-5 モリブデン酸化物とブルーブロンズの電荷密度波状態におけるコヒーレントフォノン
- 6a-G-19 η-Mo_4O_における電荷密度波状態のフェムト秒分光
- 25aL-3 低次元層状物質Mo_nO_の放射光を用いた構造研究
- 27aYT-3 光電子分光から見たグラファイト及びIBr-GICの価電子帯構造(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 12aYB-5 面内秩序を持つ IBr-GIC の光電子分光(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 12aYB-4 層状物質 MoO_3 の吸収及び発光スペクトル(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 30aYF-9 グラファイト及びIBr-GICの光電子分光IV(アンダーソン局在・低次元物質)(領域4)
- 23aTL-11 層状物質 MoO_3 の異方的熱膨張
- 23aTL-10 マグネリ相 Mo_nO_ の光電子分光 III
- 23aTL-9 グラファイト及び IBr-GIC の光電子分光 III
- 29aPS-118 グラファイト及び IBr-GIC の光電子分光 II
- 28aZK-3 マグネリ相 Mo_nO_ の光電子分光 II
- 22pM-9 層間化合物Fe_TiS_2の内殻吸収磁気円二色性
- 24pPSA-45 低次元伝導体TeMo_5O_の磁化測定II
- 31p-ZB-4 層状半導体Bi_2Te_3の量子ホール効果
- 28a-C-9 ペロブスカイト型マンガン酸化物薄膜の過渡熱起電力効果III
- 28a-A-7 電荷密度波の並進運動の計算機シュミレーション : 遮蔽効果
- 28a-A-6 擬二次元伝導体η-Mo_4O_のCDWダイナミックス : 鎖間相互作用の効果
- 28a-PS-78 低次元伝導体TeMo_5O_の磁化測定
- 29a-ZF-11 モリブデン酸化物Mo_nO_の結晶育成 II
- 29a-ZF-4 層間化合物M_xTiS_2におけるゲスト原子の分布IV
- 26p-N-2 分子性導体DCNQI-Cu系の伝導機構III
- 27a-YK-4 電荷密度波物質TaS_2の過渡熱起電力効果II
- 27a-YK-2 層間化合物M_xTiS_2における磁気抵抗とバンド構造
- 27a-YK-1 層間化合物M_xTiS_2におけるゲスト原子の分布III
- 28a-YD-15 高純度タングステン単結晶の磁場中過渡熱起電力効果
- 28a-YD-14 擬二次元伝導体η-Mo_4O_のバルク量子ホール効果
- 25a-YF-14 ペロブスカイト型マンガン酸化物薄膜の過渡熱起電力効果II
- 1p-R-1 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の極低温における輸送現象II
- 31a-N-12 ペロブスカイト型Mn酸化物薄膜の過渡熱起電力効果
- 30a-YP-2 分子性導体DCNQI-Cu系の伝導機構II
- 29aPS-118 グラファイト及び IBr-GIC の光電子分光 II
- 31p-ZB-4 層状半導体Bi_2Te_3の量子ホール効果
- 6p-K-10 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の極低温における輸送現象
- 25aP-1 電荷密度波の並進運動の計算機シミュレーションII
- 25aL-4 層状半導体Bi_Sn_xTe_3における量子ホール効果II
- 24pYM-6 電荷密度波物質η-Mo_4O_における量子ホール効果の異常
- 6p-C-5 分子性導体DCNQI-Cu系の伝導機構
- 5p-A-6 TiS_2遷移金属インターカレーション及び表面吸着電子状態の逆光電子分光
- 12pPSA-8 Bi_2Te_3, Bi_2Se_3 および Sb_2Te_3 の角度分解光電子分光(領域 4)
- 30pPSA-5 Fe_xTiTe_2 の高分解能角度分解光電子分光
- 29p-YC-2 電荷密度波物質Mo_4O_の高分解能角度分解光電子分光
- 22pK-12 MnTe_Se_xにおける過渡熱起電力効果
- 7a-E-2 層間化合物M_xTiS_2における磁気抵抗効果:Co_xTiS_2
- 25aL-2 電荷密度波物質η-Mo_4O_におけるフォノンのソフト化と電子物性への影響
- 1p-YJ-2 電荷密度波物質TaS_2の過渡熱起電力効果
- 1p-YJ-5 層間化合物M_xTiS_2における磁気抵抗効果 : ゲスト依存性
- 7a-E-1 層間化合物M_xTiS_2における磁気抵抗効果:Fe_xTiS_2
- 1p-YJ-6 層間化合物M_xTiS_2におけるゲスト原子の分布II
- 1p-YJ-4 パルス高電場下におけるη-Mo_4O_のCDWダイナミックスII
- 1p-YJ-3 モリブデン酸化物Mo_nO_の結晶育成
- 7a-YK-2 遍歴電子磁性体Fe_xTiS_2の熱残留磁化の緩和現象V
- 7a-E-8 電荷密度波の変形・並進運動のシミュレーション
- 7a-E-3 層間化合物M_xTiS_2におけるゲスト原子の分布
- 31p-S-4 パルスレーザー光照射による過渡熱起電力効果のシミュレーション IV
- 25aL-1 層間化合物Fe_xTiS_2及びAg_xTiS_2における原子分布の比較
- 26pC-9 モリブデン酸化物Mo_nO_の輸送現象
- 26pC-8 層間化合物M_xTiS_2におけるゲスト原子の分布 V
- 6aSG-5 (La1-xCaxO)Cu1-xNixSの電子状態(光電子分光・逆光電子分光,領域5)
- 7pPSB-6 グラファイト及びIBr-GICの光電子分光(領域4)
- 24pSA-9 マグネリ相Mo_nO_の赤外反射スペクトル II(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 6aSB-3 マグネリ相Mo_nO_の光電子分光(層状・低次元物質・化合物半導体,領域4)
- 24pSA-8 モリブデン酸化物MoO_3の結晶構造と結合状態(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))