佐々木 実 | 広大理
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著作論文
- 1p-R-1 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の極低温における輸送現象II
- 31a-N-12 ペロブスカイト型Mn酸化物薄膜の過渡熱起電力効果
- 30a-YP-2 分子性導体DCNQI-Cu系の伝導機構II
- 遍歴電子磁性体Fe_xTiS_2の熱残留磁化の緩和現象 III
- 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の強磁場輸送現象
- 遍歴電子磁性体Fe_xTiS_2の熱残留磁化の緩和現象
- 31a-YE-1 遍歴電子磁性体Fe_xTis_2の緩和現象とドメイン理論による考察
- 31a-YP-8 希薄磁性半導体Hg_Mn_xTe_Se_yの電流磁気効果
- 3p-PSA-25 電流磁気効果によるFe_xTiS_2の熱残留磁化の緩和測定 III
- 30p-PSA-10 電流磁気効果によるFe_xTiS_2の熱残留磁化の緩和測定 II
- 14a-R-19 電流磁気効果によるFe_xTiS_2の熱残留磁化の緩和測定
- 14a-R-18 クラスターグラスFe_TiS_2における緩和現象
- 31p-PSA-42 層間化合物Fe_xTiS_2における長時間緩和
- 29a-M-4 凝二次元伝導体η-Mo_4O_の強磁場電流磁気効果
- 27p-G-5 Fe_xTiS_2スピングラスの緩和過程 III
- 28a-G-7 化学気相法によるη-Mo_4O_の結晶成長と直視観察 II
- 13a-DF-20 化学気相法によるη-Mo_4O_の結晶成長と直視観察
- 29a-G-13 層間化合物M_xTis_2の低温比熱
- 13a-DF-7 交流法熱量計を用いた層間化合物Fe_xTiS_2の低温比熱測定
- 30a-ZC-5 磁性金属のポイント・コンタクト分光 : 局所加熱効果IV
- 28a-ZJ-4 磁性金属のポイント・コンタクト分光 : 局所加熱効果III
- 26p-ZB-15 磁性金属のポイント・コンタクト分光 : 局所過熱効果II
- 2p-D-18 Mo_4O_のCDW転移へのタングステン置換効果
- 6p-K-10 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の極低温における輸送現象
- 30p-YN-1 波長可変パルスレーザー光を用いたGaAs の過渡熱起電力効果
- 30p-PSA-9 Fe_xTiS_2の非線形磁化率
- 30p-PSA-8 Fe_xTiS_2の弱磁場交流磁化測定 IV
- 29a-G-12 層状半導体-半金属混晶系 TiS_Te_xの結晶育成と輸送現象 II
- 28a-G-10 擬二次元伝導体γ-Mo_4O_の磁場中過渡熱起電力効果
- 28a-G-9 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の磁場中過渡熱起電力効果 II
- 28a-G-8 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の電荷密度波のダイナミックス
- 12p-PSB-56 YBa_2Cu_3O_単結晶の過渡熱起電力効果
- 14a-R-17 Fe_xTiS_2の弱磁場交流磁化測定III
- 14a-K-9 ビスマスの過渡ホール効果の異方性
- 13a-DF-19 擬二次元伝導体 η-Mo_4O_のキャリアダイナミックス : 磁場中過渡熱起電力効果
- 13a-DF-8 層状半導体-半金属混晶系TiS_Te_xの結晶育成と輸送現象
- 13a-DF-6 微小試料用熱起電力測定装置の改良と層状物質への応用
- 6p-C-5 分子性導体DCNQI-Cu系の伝導機構
- 30p-S-1 パルス高電場下におけるη-Mo_4O_のCDWのダイナミックス : スクリーニング効果
- パルス高電場下における過渡熱起電力効果 : CDW物質η-Mo_4O_
- 30p-X-11 パルスレーザー光照射による過渡熱起電力効果のシミュレーション II
- 30p-YN-2 パルスレーザー光照射による過渡熱起電力効果のシミュレーション
- 3a-F-10 層状半導体 Bi_Sn_xTe_3の熱電能 II
- 30a-X-5 層状半導体Bi_Sn_xTe_3の熱電能
- 30p-YM-10 層状半導体固溶体 Bi_Sn_xTe_3の価電子帯構造
- 28p-B-16 M_xTiS_2のポイントコンタクトスペクトル
- 28p-B-14 M_xTiS_2の熱電能II
- 27a-W-8 η-Mo_4O_の結晶育成条件と輸送現象 II
- 27p-M-16 高圧下におけるW_xMo_O_の輸送現象
- 27p-M-15 η-Mo_4O_の結晶育成条件と輸送現象
- 2p-D-17 η-Mo_4O_のキャリアダイナミックス : 超渡熱起電力効果 II
- 2p-D-16 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の交流電気伝導 II
- 2a-TA-11 η-Mo_4O_のシュブニコフード・ハス振動の圧力効果
- 6a-C-19 高圧下におけるη-Mo_4O_の電流磁気効果
- 27p-G-17 静水圧・強磁場下におけるMo_4O_の輸送現象
- 28p-ZJ-14 Fe_xTiS_2の弱磁場交流磁化測定
- 27p-M-14 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の交流電気伝導III
- 5p-D-2 M_xTiS_2の弱磁場磁化測定
- 2a-TA-9 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の交流電気伝導
- 6a-Z-6 磁性金属のポイントコンタクト分光
- 30p-YM-9 擬2次元伝導体η-Mo_4O_11 の電荷密度波のダイナミックス II
- 7a-E-2 層間化合物M_xTiS_2における磁気抵抗効果:Co_xTiS_2
- 28p-B-19 M_xTiS_2のパルス磁場下の磁化測定
- 1p-YJ-2 電荷密度波物質TaS_2の過渡熱起電力効果
- 1p-YJ-5 層間化合物M_xTiS_2における磁気抵抗効果 : ゲスト依存性
- 7a-E-1 層間化合物M_xTiS_2における磁気抵抗効果:Fe_xTiS_2
- 30p-S-6 層間化合物Mn_xTiS_2における負の巨大磁気抵抗
- 3p-F-1 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の電荷密度波のダイナミックス IV
- 29a-X-16 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の電荷密度波のダイナミックス III
- 29p-M-12 電荷密度波物質γ-Mo_4O_における新しい量子干渉効果
- 2p-J-2 擬二次元伝導体γ-Mo_4O_の磁場中過渡熱起電力効果II
- 29p-G-7 極低温におけるM_xTiS_2の輸送現象
- 28p-B-18 M_xTiS_2の磁性
- Bi-Sr-Ca-Cu-O薄膜のキャリアダイナミックス : 過渡熱起電力効果
- 1p-YJ-6 層間化合物M_xTiS_2におけるゲスト原子の分布II
- 1p-YJ-4 パルス高電場下におけるη-Mo_4O_のCDWダイナミックスII
- 1p-YJ-3 モリブデン酸化物Mo_nO_の結晶育成
- 7a-YK-2 遍歴電子磁性体Fe_xTiS_2の熱残留磁化の緩和現象V
- 7a-E-8 電荷密度波の変形・並進運動のシミュレーション
- 7a-E-3 層間化合物M_xTiS_2におけるゲスト原子の分布
- 31p-S-4 パルスレーザー光照射による過渡熱起電力効果のシミュレーション IV
- 30p-S-2 パルスレーザー光照射による擬二次元伝導体γ-Mo_4O_の過渡ホール効果
- 28a-PS-34 遍歴電子磁性体Fe_xTiS_2の熱残留磁化の緩和現象IV
- 分子性導体DCNQI-Cu系の過渡熱起電力効果II
- 1a-B-11 分子性導体 DCNQI-Cu 系の過渡熱起電力効果
- 30p-X-10 波長可変パルスレーザー光を用いたGaAsの過渡熱起電力効果 II
- 29p-G-6 M_xTiS_2のポイント・コンタクト・スペクトルIII
- 27a-ZG-9 ビスマスの過渡ホール効果
- 27a-ZG-8 ビスマスの磁場中過渡熱電力効果
- 27a-W-10 ビスマス単結晶の過渡熱起電力効果
- 31p-N-10 層間化合物 MxTiS_2 の局所構造と平均構造
- 30a-M-15 ビスマスの磁場中過渡熱起電力効果の異方性
- 30a-M-14 ビスマスの過渡ホール効果 II
- 29a-M-5 凝二次元伝導体η-Mo_4O_における電荷密度波の並進運動 II
- 27a-ZG-7 GaAsの過渡熱起電力効果
- 26a-ZG-16 擬二次元伝導体η-Mo_4O_における電荷密度波の並進運動
- 25p-ZG-18 層状半金属TiTe_2の輸送現象とSiによる置換効果
- 25p-ZG-3 Fe_xTiS_2の弱磁場交流磁化測定 II
- 27a-W-9 W_XMO_O_のキャリアダイナミックス : 過度熱起電力効果
- 29p-D-11 層間化合物Fe_xTiS_2の低温比熱
- 28a-C-12 擬二次元伝導体η-Mo_4O_のキャリアダイナミックス:過渡熱起電力効果III
- 27p-PS-56 Bi-Sr-Ca-Cu-O単結晶のキャリアダイナミックス
- 26p-ZB-14 磁性金属のポイント・コンタクト分光 : 局所過熱効果I
- パルスレーザー光照射過渡熱起電力効果のシミュレーションIII
- 過渡熱起電力効果法 : 新しい伝導キャリア・スペクトロスコピーを目指して
- 28p-B-15 M_xTiS_2の高圧下における輸送現象 II
- 層間化合物 M_xTiS_2の磁場中比熱
- 31a-YF-11 層間化合物M_xTiS_2 の低温比熱 III
- 2p-J-5 層間化合物M_xTiS_2の低温比熱II
- 5p-F-10 Fe_xTiS_2のスピングラスの緩和過程 II
- 31p-TB-7 Fe_xTiS_2のスピングラスの高速緩和過程
- 2p-J-4 層間化合物Ti_S_2の輸送現象
- 3a-F-13 一次元半導体TiS_3の輸送現象
- 30a-X-8 針状結晶TiS_3及びFe_xTiS_3の結晶育成
- 30p-YM-8 針状結晶TiS_3 の結晶育成
- 3a-F-12 層間化合物M_xTiS_2の磁気抵抗
- 遍歴電子磁性体Fe_xTiS_2の緩和現象とドメイン理論による考察 II
- 2p-J-3 擬二次元伝導体γ-Mo_4O_のCDW転移と輸送特性
- 2a-TA-10 η-Mo_4O_のキャリアダイナミックス : 過渡熱起電力効果
- 6p-Y-7 YBa_2Cu_3O_薄膜のキャリアダイナミックス : 過渡熱起電力効果
- 27p-LD-14 静水圧下におけるγ-Mo_4O_の輸送現象(半導体)
- 30p-LD-9 過渡熱起電力効果法によるGaAsの電子とフォノンの動的特性(半導体)
- 27p-LD-5 面内修飾化合物Fe_xTi_S2の電子物性(半導体)
- 31p-FC-10 M_xTis_2の異方性(31p FC 半導体(黒リン,ダイカルコゲナイド・インターカレーション))
- 3p-D2-8 CVT法によるモリブデン酸硫化物の作製と電気的性質(3p D2 半導体(グラファイトインターカレーション・ダイカルゴゲナイド・層状物質),半導体)
- 31p-FC-12 M_xTiS_2の熱電能(31p FC 半導体(黒リン,ダイカルコゲナイド・インターカレーション))
- 31p-FC-8 パルスマグネットの試作とM_xTiS_2への応用(31p FC 半導体(黒リン,ダイカルコゲナイド・インターカレーション))
- 31p-FC-9 M_xTiS_2の高圧下における輸送現象(31p FC 半導体(黒リン,ダイカルコゲナイド・インターカレーション))
- 28a-H-6 M_xTiS_2の格子定数の圧力依存性(28aH 半導体(光物性・層状物質))
- 28a-H-7 高圧下におけるM_xTiS_2の電流磁気効果(28aH 半導体(光物性・層状物質))
- 1p-YE-9 層間化合物M_xTiS_2の磁場中比熱II(1pYE 磁性(遷移金属合金・化合物),磁性)
- 3P-YE-9 遍歴電子磁性体Fe_xTiS_2の熱残留磁化の緩和現象II(3pYE 磁性(スピングラス,ランダム系,低次元系),磁性)
- 31a-L2-7 静水圧下におけるMo4011の輸送現象(半導体,(A:擬一次元物質,層状物質,ダイカルコゲナイド))
- 28a-H-8 強磁場下におけるFe_xTiS_2の電流磁気効果(28aH 半導体(光物性・層状物質))