植田 義文 | 呉高専
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概要
関連著者
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植田 義文
呉高専
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植田 義文
徳山工業高等専門学校情報電子工学科
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谷口 雅樹
広大大学院理:広大放射光セ
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谷口 雅樹
広大理
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植田 義文
徳山高専
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植田 義文
呉工業高等専門学校電気情報工学科
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佐藤 仁
広大理
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谷口 雅樹
広大院理
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木村 昭夫
広大理
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Namatame H.
Hsrc Hiroshima Univ.
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生天目 博文
広大放射光セ
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黒田 健太
広大大学院理
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八方 直久
広島市大情報
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宮本 幸治
広大放セ
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生天目 博文
広大放射光
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Namatame Hirofumi
広大放セ
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Namatame Hirofumi
Department Of Physics Faculty Of Science University Of Tokyo
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古田 明仁
広島大理
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Namatame Hirofumi
Hiroshima Synchrotron Radiation Center Hiroshima Univ. Higashi-hiroshima 739-0046 Jpn
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島田 賢也
広島大放セ
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TAGUCHI Munetaka
RIKEN/SPring-8
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八方 直久
広大理
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広島大院理
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Shimada K.
広大放セ
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広島大院理
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広島大院理
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宮本 幸治
広島大放セ
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奥田 太一
広島大放セ
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生天目 博文
広島大放セ
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有田 将司
広大放射光セ
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生天目 博文
広大理
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仙波 伸也
宇部高専
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田村 昌望
広大理
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谷口 雅樹
広島大理
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高田 健一郎
広大理
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佐藤 仁
広島大理
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仲武 昌史
広大理
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ARAI Masatoshi
Japan Atomic Energy Agency
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Avila Marcos
Hiroshima Univ. Hiroshima Jpn
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Arita M
Japan Atomic Energy Agency
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高田 健一郎
広島大学理学部
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島田 賢也
広大放射光セ
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Ye M.
Grad. Sch. Sci. Hiroshima Univ.
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叶 茂
広大院理
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木村 昭夫
東大物性研
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成田 尚司
東大物性研
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Arita M
Hokkaido Univ. Sapporo
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三村 功次郎
広大理
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古田 明仁
広大理
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原田 二郎
広大理
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奥田 裕之
広島大学理学部
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Shimada Kenya
Hiroshima Univ. Hiroshima Jpn
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Arita M.
広大放セ
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Shimada Kenya
Hiroshima Synchrotron Radiation Center Hiroshima University
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Taniguchi Masaki
Grad. Sch. Sci. Hiroshima Univ.:hsrc Hiroshima Univ.
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Krasovskii E.
DIPC
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叶 茂
広島大院理
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Chulkov E.
ドノスティア国際物理セ
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植田 義文
呉高専電
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島田 賢也
広大放射光
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木村 雅仁
阪大基礎工
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仲武 昌史
広大放射光
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木村 昭夫
広大院理
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Kimura A.
Grad. Sch. Sci. Hiroshima Univ.
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Namatame H.
HSRC, Hiroshima Univ.
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Taniguchi M.
Grad. Sch. Sci. Hiroshima Univ.
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佐藤 仁
広大放射光セ
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宮本 幸治
広大放射光セ
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平井 千之
広大院理
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佐藤 仁
広大院理
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三原 隆弘
広大理
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谷口 雅樹
広島大学理学部
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小嗣 義
広大理
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仙波 伸也
広大理
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奥田 裕之
広大理
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三村 功次郎
広島大理
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原田 二郎
広島大理
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宮崎 圭司
広大理
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細川 伸也
広大理
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有田 将司
広島大放セ
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Krasovskii E.
ドノスティア国際物理セ
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谷口 雅樹
広大放射光セ
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奥田 太一
広大放射光セ
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Nakatake M.
HSRC, Hiroshima Univ.
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黒田 健太
広大院理
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藤本 浩二
広大院理
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平岡 耕一
愛媛大工
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長崎 太
広大院理
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根岸 寛
広大理
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井上 正
広大理
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八方 直久
広島大理
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佐藤 仁
広島大・理
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谷口 雅樹
広島大・理
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仲武 昌史
物構研PF
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Namatame Hirofumi
Department Of Physics University Of Tokyo
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中武 昌史
広大放射光セ
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藤沢 雅美
東大物性研
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平井 千之
広大理
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Chulkov E.
DIPC
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金 聖憲
広大院理
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辛 埴
東大物性研
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関山 明
阪大基礎工
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室 隆桂之
JASRI
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菅 滋正
阪大基礎工
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斎藤 祐児
JAEA
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山本 拓
東北大理
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斎藤 祐児
原子力機構放射光
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岩澤 英明
広大放射光
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姜 健
広大院理
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斉藤 祐児
原子力機構
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森吉 千佳子
広大院理
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黒岩 芳弘
広大院理
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菅 滋正
物性研
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菅 滋正
東大物性研
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斎藤 祐児
原研
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根岸 寛
広大院先端物質
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竹田 幸治
広大放射光セ
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有田 将司
広大放セ
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生天目 博文
広大放セ
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谷口 雅樹
広大放セ
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飛松 浩明
広大院理
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斉藤 祐児
原研 SPring-8
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生天目 博文
物性研
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竹田 幸治
原子力機構
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谷口 雅樹
東大物性研
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谷口 雅樹
広島大学放射光科学研究センター
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岡 泰夫
東北大学科学計測研究所
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平本 尚三
広大理
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谷口 雅樹
物性研
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藤沢 正美
東大物性研
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野原 進一
東大理
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小川 晋
日立基礎研
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谷口 雅樹
広島大学大学院理学研究科
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可兒 裕也
広大院理
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仙波 伸也
広大放射光
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小川 晋
物性研
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植田 義文
広大理
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藤沢 正美
物性研
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山本 柘
東北大理
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佐藤 仁
広大放セ
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飛松 浩明
広大大学院理
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山本 剛
広大理
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小山 通榮
呉工業高等専門学校一般科目
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佐藤 仁
広島大学
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根岸 寛
広大先端研
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小山 通栄
呉工業高等専門学校一般科目
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佐藤 仁
広島大学理学部
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原田 慈久
東大物性研
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迫田 洋士
呉高専
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宮田 武史
呉高専
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仙波 伸也
広島大理
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奥田 裕之
広島大理
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仲武 昌史
広島大理
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宮崎 圭司
広島大理
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Panagiotis C.Grekos
広島大理
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三村 功次郎
広島大・理
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八方 直久
広島大・理
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宮崎 圭司
広島大・理
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Grekos Panagiotis
広島大・理
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可児 裕也
広大院理
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小島 健一
広大総科
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佐藤 仁
広島大学放射光科学研究センター
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植田 義文
広島大理学部
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田口 政義
日大生産工
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Namatame Hirofumi
Hiroshima Synchrotron Radiation Center Hiroshima Univ.
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Taguchi M.
Riken/spring-8
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竹田 幸治
広大理
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武田 幸治
広大放射光セ
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植田 義文
広島大工
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福島 謙輔
広大理
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Iwasawa Hideaki
Hiroshima Synchrotron Radiation Center Hiroshima University
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Takata M
Department Of Physics Division Of Material Science Nagoya University
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齋藤 祐児
原研
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河内 剛志
広大理
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Muro T
Jasri Spring-8
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宮本 幸冶
広大放射光
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姜 健
広島大院理
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岩澤 英明
広島大放セ
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山田 洋平
広大院理
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Grekos Panagiotis
広大理
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田村 昌望
広島大・理
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開 康子
広島大・理
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仲武 昌史
広島大・理
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生天目 博文
広島大・理
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細川 伸也
広島大・理
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開 康子
広島大理
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細川 伸也
広島大理
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小山 通栄
呉高専
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八方 直久
広島大学理学部
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Ishii T
Department Of Physics Tokyo Metropolitan University
-
Ishii H
Univ. Tokyo Chiba
-
Ishii Hiroyoshi
Department Of Physics Tokyo Metropolitan University
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野原 進一
物性研
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井上 正
広島大
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根岸 寛
広島大
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原 宏
徳山工業高等専門学校一般科目(化学)
-
宮原 寛和
広大院理
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迫田 洋士
呉工業高等専門学校電気工学科
-
宮田 武史
呉工業高等専門学校電気工学科
-
Ghijsen J.
広大放射光セ
著作論文
- 22aPS-39 CoSe_2の光電子分光
- 23aPS-16 MGe_n(M=Co,Ni);n=1,2)の電子状態(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- Cr_XY(Y=S, Se, Te)の共鳴逆光電子分光
- 28p-YC-7 NiAs型MnTeのMn2p軟X線発光
- 28a-YC-8 正・逆光電子分光によるIII-V化合物半導体GaSbの電子状態
- MnY(Y=Te, Se, S)のMn2p-3d共鳴光電子分光
- 1a-Z-4 NiAs 型 MnTe の Mn 2p-3d 共鳴光電子分光
- 28p-W-14 Mn-CdTe(110)及びMn-ZnTe(110)界面のMn3p-3d共鳴光電子分光
- 28p-W-13 閃亜鉛鉱型MnTe薄膜単結晶の正・逆光電子分光
- 28p-YQ-6 希薄磁性半導体Cd_Mn_xTeのEXAFSによる研究
- 28p-B-17 TiS_2層間化合物の光電子分光
- 25aWX-10 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3における表面・バルク電子散乱(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWX-6 三次元トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3の異方的なフェルミ面(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aXA-12 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3のフェルミ面と表面電子散乱(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 29p-H-13 三方晶Teの正・逆光電子分光
- 12a-DC-5 Zn_Mn_xTeの局所構造 : Te-Te間距離:Te K-edge EXAFS
- 29a-P-4 Zn_Mn_xTeの局所構造と Mn 3d 電子状態(III)
- 6p-C3-5 層状物質の角度分解逆光電子分光
- 6a-G-2 Cr化合物の正・逆光電子分光
- A Photoemission and Inverse-Photoemission Study of Bi_2Y_3(Y=S,Se,Te)
- 28p-W-16 Bi_2Y_3(Y=S, Se, Te)の正・逆光電子分光
- 28p-W-11 CoSeの正・逆光電子分光
- 28p-YQ-8 MnY(Y=S, Se, Te)の正・逆光電子分光
- 17pRG-5 CoSb_3の正・逆光電子分光による電子状態
- 28a-YC-9 正・逆光電子分光による黒リンの電子状態の研究
- 12pPSA-8 Bi_2Te_3, Bi_2Se_3 および Sb_2Te_3 の角度分解光電子分光(領域 4)
- 29p-H-4 Mo_4O_の電子状態
- Synchrotron Radiation Study of Fe 3d States in Cd_Fe_XSe(X=0.11)
- 12a-DC-3 NiAs型MnTeの正・逆光電子分光
- 12a-DC-2 Cd_Mn_xTe中の正・逆光電子分光
- 29a-P-5 Cd_Mn_xTeの逆光電子分光
- Computer Controlled System For Resistivity Measurements
- 29p-H-14 逆光電子分光用高分解能光検出器の試作
- 26aHG-2 トポロジカル絶縁体三元カルコゲナイドの放射光角度分解光電子分光(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aHG-3 Controlling the topological surface states of Bi_2Se_3 by guest atoms intercalation
- 22aTN-8 ARPES及びXMCD分光を用いたMnドープBi_2Se_3の電子状態の研究(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
- 23pTR-2 低エネルギー放射光ARPESを用いたトポロジカル絶縁体三元カルコゲナイドにおけるディラック電子状態の観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTC-2 Electronic states of Co and Fe atoms deposited on topological insulator Bi_2Se_3 studied by XMCD, ARPES and STM
- 24pTC-5 Relocation of the topological state of Bi_2Se_3 beneath the surface by Ag intercalation
- 7pPSA-13 CoSb3のCo 2p-3d内殻吸収領域での光電子分光(領域5)
- 8aSF-8 NdMn_2Ge_2,GdMn_2Ge_2の電子状態(軟X線散乱・放射光真空紫外分光・MCD,領域5)
- 28aDD-10 偏光依存スピン角度分解光電子分光を用いたトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3における表面状態のスピンテクスチャーの研究(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 6aPS-57 YbSnCu4と関連化合物の電子状態の研究(4f・5f電子系,重い電子系,遷移金属酸化物,領域8)
- 28aDD-11 非層状物質三元トポロジカル絶縁体TIBiSe_2の勢開最表面の決定(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))