29a-P-4 Zn_<1-x>Mn_xTeの局所構造と Mn 3d 電子状態(III)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1993-03-16
著者
-
谷口 雅樹
広大大学院理:広大放射光セ
-
植田 義文
呉高専
-
植田 義文
徳山高専
-
谷口 雅樹
広島大理
-
佐藤 仁
広島大理
-
八方 直久
広島大理
-
八方 直久
広島市大情報
-
細川 伸也
広大理
-
細川 伸也
広島大理
関連論文
- 22aPS-39 CoSe_2の光電子分光
- 29p-H-10 NiAs型MnTeの正・逆光電子分光 II
- 23aPS-16 MGe_n(M=Co,Ni);n=1,2)の電子状態(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- 27aPS-56 YbInCu_4単結晶の精密構造解析(27aPS 領域8ポスターセッション(f電子系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- Cr_XY(Y=S, Se, Te)の共鳴逆光電子分光
- 22pTK-2 Extremely low energy photoemission by synchrotron radiation
- 18aPS-81 鉄隕石におけるクロマイト(Cr_2FeO_4)の光電子顕微鏡(PEEM)を用いたNanoXAFS測定(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28aSC-2 FeNi鉄隕石における容易磁化軸の回転(28aSC 領域9,領域3合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aSC-2 FeNi鉄隕石における容易磁化軸の回転(28aSC 領域9,領域3合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22pPSA-78 (RO)CuS(R=La,Ce,Pr,Nd)の光電子分光(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- NiAs型Cr_xY(Y=S,Se, Te)の電子構造
- 30p-YM-4 カルコゲナイドガラスAs_xSe_の光電子・逆高分子分光
- 30a-YM-4 カルコゲナイドガラスAs_xSe_の光電子・逆光電子分光
- 28p-YC-7 NiAs型MnTeのMn2p軟X線発光
- 28a-YC-10 As_2Y_3(Y=S, Se, Te)の正・逆光電子分光
- 28a-YC-8 正・逆光電子分光によるIII-V化合物半導体GaSbの電子状態
- MnY(Y=Te, Se, S)のMn2p-3d共鳴光電子分光
- 結晶およびアモルファスSeの3d領域における共鳴光電子分光、内殻吸収測定
- 1a-Z-4 NiAs 型 MnTe の Mn 2p-3d 共鳴光電子分光
- 28p-W-14 Mn-CdTe(110)及びMn-ZnTe(110)界面のMn3p-3d共鳴光電子分光
- 28p-W-13 閃亜鉛鉱型MnTe薄膜単結晶の正・逆光電子分光
- 28p-YQ-6 希薄磁性半導体Cd_Mn_xTeのEXAFSによる研究
- 28p-B-17 TiS_2層間化合物の光電子分光
- 29a-YL-3 Ag, Cuを光ドープしたa-GeSe_2の電子状態 : 軟X線内殻吸収
- 25aWX-10 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3における表面・バルク電子散乱(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWX-6 三次元トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3の異方的なフェルミ面(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aXA-12 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3のフェルミ面と表面電子散乱(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 26a-F-4 U_3T_3X_4(T=Ni, Cu;X=Sn, Sb)の光電子分光
- 29p-H-13 三方晶Teの正・逆光電子分光
- 29p-H-12 Ag、Cuを光ドープしたアモルファスGeSe_2の物性
- 29p-H-11 アモルファスGeSe, GeTeの局所構造と電子状態
- 12a-DC-5 Zn_Mn_xTeの局所構造 : Te-Te間距離:Te K-edge EXAFS
- 12a-DC-4 Cd_Mn_xTe 中の Mn 3d 部分状態密度の x 依存性
- 12a-DF-20 正・逆光電子分光によるアモルファスGeSe, GeTeの電子帯構造の研究
- 12a-DF-19 軟X線内殻吸収測定によるアモルファスGeSe、GeTeの電子状態の研究
- 29a-P-6 逆光電子分光による a-As_2Se_3 の伝導帯構造の研究
- 29a-P-4 Zn_Mn_xTeの局所構造と Mn 3d 電子状態(III)
- 31p-M-10 Ag,Cuをフォトドープした a-GeSe_2 の伝導帯構造
- 31p-M-8 a-Seの逆光電子分光
- EXAFS Study of Semimagnetic Semiconductors Zn_Mn_XTe : Mn 3d Electronic States and Mn-Te Local Coordination
- 25p-ZD-3 Zn_Mn_xTeの局所構造とMn3d電子状態
- 25a-ZG-16 逆光電子分光によるa-GeSe_2の伝導帯構造の研究
- 25a-ZG-12 a-Geの逆光電子分光
- 6p-C3-5 層状物質の角度分解逆光電子分光
- 倍長単一誤り訂正2重誤り検出リード・ソロモン符号の復号器
- 28p-YQ-9 CrSeの共鳴光電子分光
- 6a-G-2 Cr化合物の正・逆光電子分光
- A Photoemission and Inverse-Photoemission Study of Bi_2Y_3(Y=S,Se,Te)
- 28p-W-16 Bi_2Y_3(Y=S, Se, Te)の正・逆光電子分光
- 28p-W-11 CoSeの正・逆光電子分光
- 28p-YQ-8 MnY(Y=S, Se, Te)の正・逆光電子分光
- 3p-F-5 Mn/ZnTe(110)のMn3p-3d共鳴光電子分子
- 3p-F-4 希薄磁性半導体Zn_Mn_xTeの正・逆光電子分光
- 17pRG-5 CoSb_3の正・逆光電子分光による電子状態
- 28a-YC-9 正・逆光電子分光による黒リンの電子状態の研究
- 26a-M-13 層間化合物M_xTiS_2の局所構造 : EXAFS III
- 5p-D-1 層間化合物M_xTiS_2の局所構造 : EXAFS II
- 31p-TB-8 層間化合物M_xTiS_2の局所構造 : EXAFS
- 12pPSA-8 Bi_2Te_3, Bi_2Se_3 および Sb_2Te_3 の角度分解光電子分光(領域 4)
- 29p-H-4 Mo_4O_の電子状態
- 30p-E-3 Zn_Mn_xTeの局所構造とMn3d電子状態
- Construction of Photoluminescence Measurement System
- 逆光電子分光装置の設計・製作
- Synchrotron Radiation Study of Fe 3d States in Cd_Fe_XSe(X=0.11)
- 12a-DC-3 NiAs型MnTeの正・逆光電子分光
- 12a-DC-2 Cd_Mn_xTe中の正・逆光電子分光
- 29a-P-5 Cd_Mn_xTeの逆光電子分光
- Computer Controlled System For Resistivity Measurements
- 29p-APS-48 Ce(Pd_Ni_x)_3の熱電能、比熱など
- 29p-H-14 逆光電子分光用高分解能光検出器の試作
- 26aHG-2 トポロジカル絶縁体三元カルコゲナイドの放射光角度分解光電子分光(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aHG-3 Controlling the topological surface states of Bi_2Se_3 by guest atoms intercalation
- 23aJB-2 W(110)のスピン偏極表面電子構造における異方的ディラックコーン(23aJB 表面界面構造(金属・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHA-9 高分解能スピン・角度分解光電子分光装置を用いた表面スピン電子物性測定(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aTN-8 ARPES及びXMCD分光を用いたMnドープBi_2Se_3の電子状態の研究(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
- 23pTR-2 低エネルギー放射光ARPESを用いたトポロジカル絶縁体三元カルコゲナイドにおけるディラック電子状態の観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTC-2 Electronic states of Co and Fe atoms deposited on topological insulator Bi_2Se_3 studied by XMCD, ARPES and STM
- 24pTC-5 Relocation of the topological state of Bi_2Se_3 beneath the surface by Ag intercalation
- 23pPSB-33 光電子分光によるトポロジカル絶縁体GeBi_2Te_4の表面電子状態の観測(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-27 鎖状Tl化合物TlSe, TlGaTe_2のエネルギーバンド中に存在する特異な分散構造の研究(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22aTN-1 角度分解光電子分光によるBaVS_3の電子状態の研究(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
- 28pXK-3 W(110)表面電子状態のC_対称性による平らなディラックコーン(28pXK 表面界面電子物性・金属,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXK-4 トポロジカル絶縁体TlBiSe_2のバルクキャリア制御された単結晶育成と表面状態の観測(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXK-2 トポロジカル絶縁体Bi_2Te_2Seのスピン偏極表面電子状態(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSA-39 高分解能3次元スピン分解光電子分光装置の開発(28pPSA 領域5ポスターセッション(新光源・新分光法・微粒子・ナノ結晶ほか),領域5(光物性))
- 26aEK-12 Pb(110)単結晶の偏光依存高分解能角度分解光電子分光(26aEK 放射光・光電子・発光,領域5(光物性))
- 28pXG-7 バルクキャリアドーピングによるTlBiSe_2トポロジカル表面状態のスピンヘリシティ制御(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXG-6 トポロジカル絶縁体GeBi_2T_4のスピン角度分解光電子分光(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXJ-7 角度分解光電子分光によるIrTe_2の電子状態(29aXJ 超伝導物質,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29aXX-8 擬一次元的励起子絶縁体Ta_2NiSe_5の1粒子励起スペクトル(29aXX 遷移金属化合物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28pPSB-7 CoMoCAT法で合成された極細カーボンナノチューブの光電子分光II(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
- 26pPSA-8 HOPG上に形成したLi薄膜の光電子分光(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aEK-10 La/W(110)の高分解能角度分解光電子分光(26aEK 放射光・光電子・発光,領域5(光物性))
- 29aEJ-3 角度分解光電子分光を用いた自己エネルギー導出方法の改善(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
- 26aEK-11 パラジウムの高分解能角度分解光電子分光:自己エネルギーの定量解析(26aEK 放射光・光電子・発光,領域5(光物性))
- 7pPSA-13 CoSb3のCo 2p-3d内殻吸収領域での光電子分光(領域5)
- 8aSF-8 NdMn_2Ge_2,GdMn_2Ge_2の電子状態(軟X線散乱・放射光真空紫外分光・MCD,領域5)
- 28aDD-10 偏光依存スピン角度分解光電子分光を用いたトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3における表面状態のスピンテクスチャーの研究(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 6aPS-57 YbSnCu4と関連化合物の電子状態の研究(4f・5f電子系,重い電子系,遷移金属酸化物,領域8)
- 28aDD-11 非層状物質三元トポロジカル絶縁体TIBiSe_2の勢開最表面の決定(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))