Cr_XY(Y=S, Se, Te)の共鳴逆光電子分光
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概要
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Electronic density of states of C_XY(Y=S, Se, Te) with a NiAs-type structure are obtained from resonant photoemission and resonant inverse-photoemission spectroscopies measurements in the regions of the valence band maximum (VBM) and conduction band minimum (CBM). The Cr 3d(t_<2g>) exchange splitting energies of Cr_XS, Cr_XSe and Cr_XTe are determined to be 3.5, 3.5 and 3.8 eV, respectively. It is worthwhile to notice that a Cr 3d(t_<2g>) exchange splitting energy becomes larger as chalcogen changes from S to Se and further to Te. This tendency is similar to the exchange splitting energies calculated by Dijkstra et aL Cr 3d main peaks locate at almost same positions whether Cr vacancies exit or not in the Cr chalcogenides. Therefore, it seems that Cr vacancies do not affect strongly on the electronic structures of the compounds.
- 呉工業高等専門学校の論文
著者
-
佐藤 仁
広大放射光セ
-
谷口 雅樹
広大大学院理:広大放射光セ
-
谷口 雅樹
広島大学放射光科学研究センター
-
谷口 雅樹
広島大学大学院理学研究科
-
植田 義文
呉高専
-
小山 通榮
呉工業高等専門学校一般科目
-
植田 義文
呉工業高等専門学校電気情報工学科
-
佐藤 仁
広島大学
-
小山 通栄
呉工業高等専門学校一般科目
-
佐藤 仁
広島大学放射光科学研究センター
-
植田 義文
徳山工業高等専門学校情報電子工学科
-
佐藤 仁
Jst-trip:hisor
-
佐 藤仁
広大放射光
-
谷口 雅樹
広島大学大学院工学研究科
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