A Photoemission and Inverse-Photoemission Study of Bi_2Y_3(Y=S,Se,Te)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 徳山工業高等専門学校の論文
- 1995-12-01
著者
-
植田 義文
呉高専
-
佐藤 仁
広島大学理学部
-
谷口 雅樹
広島大学理学部
-
高田 健一郎
広大理
-
古田 明仁
広島大理
-
八方 直久
広島市大情報
-
植田 義文
徳山工業高等専門学校情報電子工学科
-
中武 昌史
広大放射光セ
-
八方 直久
広島大学理学部
-
高田 健一郎
広島大学理学部
-
古田 明仁
広島大学理学部
-
安永 満栄
広島大学理学部
-
中武 昌史
広島大学理学部
-
生天目 博文
広島大学理学部
関連論文
- 25aYK-11 アルカリ金属水素化物とアンモニアの反応II : X線を用いた表面分析(格子欠陥・ナノ構造(水素,ナノ粒子,金属),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aXB-2 低温走査トンネル顕微鏡を用いたNi(111)の表面電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-6 低温STMを用いたNi(111)表面電子状態の研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aRG-9 二重ペロブスカイト型Co酸化物の光電子分光(コバルト酸化物,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 27pYB-9 内殻光電子分光法によるPd系金属ガラスの化学結合状態と弾性不均一性(液体金属,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 26pPSB-7 NiSi_2/Si(111)薄膜単結晶の角度分解光電子分光(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aPS-4 フラーレンピーポッドの正・逆光電子分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26aPS-6 金属内包フラーレンを内包した単層カーボンナノチューブの光電子分光(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSA-16 フラーレンピーポッドの光電子分光II(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 19pPSA-11 フラーレンピーポッドの光電子分光(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 22aPS-39 CoSe_2の光電子分光
- 29p-H-10 NiAs型MnTeの正・逆光電子分光 II
- 23aPS-16 MGe_n(M=Co,Ni);n=1,2)の電子状態(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- Cr_XY(Y=S, Se, Te)の共鳴逆光電子分光
- NiAs型Cr_xY(Y=S,Se, Te)の電子構造
- 28p-YC-7 NiAs型MnTeのMn2p軟X線発光
- 28a-YC-10 As_2Y_3(Y=S, Se, Te)の正・逆光電子分光
- 28a-YC-8 正・逆光電子分光によるIII-V化合物半導体GaSbの電子状態
- MnY(Y=Te, Se, S)のMn2p-3d共鳴光電子分光
- 1a-Z-4 NiAs 型 MnTe の Mn 2p-3d 共鳴光電子分光
- 28p-W-14 Mn-CdTe(110)及びMn-ZnTe(110)界面のMn3p-3d共鳴光電子分光
- 28p-W-13 閃亜鉛鉱型MnTe薄膜単結晶の正・逆光電子分光
- 28p-YQ-6 希薄磁性半導体Cd_Mn_xTeのEXAFSによる研究
- 26aPS-7 3d遷移金属シリサイドの極低エネルギー光電子分光による価電子帯構造の研究(ポスターセッション,領域5,光物性)
- エンタングルした量子状態と量子情報科学の基礎
- 22pPSA-7 SrSi_2/Si(111)の角度分解光電子分光(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28p-B-17 TiS_2層間化合物の光電子分光
- 18pXF-4 最もガラス形成能が優れたPd_Ni_Cu_P_金属ガラスの電子構造(液体金属(アモルファス・溶融塩・その他),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 21pXJ-10 低温STMを用いたAl吸着Si(001)表面構造の研究III(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aYH-5 Al/Si(111)-γ相の表面構造の研究(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29a-YL-3 Ag, Cuを光ドープしたa-GeSe_2の電子状態 : 軟X線内殻吸収
- 29pPSB-40 テンプレート効果とCoシリサイドクラスターの原子・電子構造の研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-76 Alナノクラスター表面相上のCoクラスターの原子・電子構造研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXB-10 Alナノクラスター表面相上のCoクラスターの原子・電子構造研究IV(表面界面構造,22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-8 Alナノクラスター表面相上のCoクラスターの原子・電子構造研究III(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aWX-10 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3における表面・バルク電子散乱(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWX-6 三次元トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3の異方的なフェルミ面(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aXA-12 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3のフェルミ面と表面電子散乱(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 逆光電子分光
- 29p-H-13 三方晶Teの正・逆光電子分光
- 12a-DC-5 Zn_Mn_xTeの局所構造 : Te-Te間距離:Te K-edge EXAFS
- 12a-DC-4 Cd_Mn_xTe 中の Mn 3d 部分状態密度の x 依存性
- 29a-P-4 Zn_Mn_xTeの局所構造と Mn 3d 電子状態(III)
- EXAFS Study of Semimagnetic Semiconductors Zn_Mn_XTe : Mn 3d Electronic States and Mn-Te Local Coordination
- 25p-ZD-3 Zn_Mn_xTeの局所構造とMn3d電子状態
- 6p-C3-5 層状物質の角度分解逆光電子分光
- 層状チタン酸塩Cs_XTi_O_4(0.68≦X≦0.88)の合成とリチウムインターカレーション
- 27aYB-1 混晶中でPaulingの結合長はどこでVegard則につながるのか?(液体金属,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 20pPSB-2 蛍光X線ホログラフィーによる希薄磁性半導体Zn_Mn_xTeの局所構造解析(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- A Photoemission and Inverse-photoemission Study of - Semiconductors:Gasb
- 28p-YQ-9 CrSeの共鳴光電子分光
- A Photoemission and Inverse-photoemission Study of - Semiconductors:InSb
- 6a-G-2 Cr化合物の正・逆光電子分光
- 30p-N-2 MBEによるSi(100)上の自己形成Geドットの成長
- 21aPS-1 FeGe_2 の電子状態
- NiAs型CrSeの電子構造
- A Photoemission and Inverse-Photoemission Study of Bi_2Y_3(Y=S,Se,Te)
- 28p-W-16 Bi_2Y_3(Y=S, Se, Te)の正・逆光電子分光
- 28p-W-11 CoSeの正・逆光電子分光
- CrSeの共鳴光電子分光
- 28p-YQ-8 MnY(Y=S, Se, Te)の正・逆光電子分光
- Resonant Photoemission Studies of MnTe with NiAs-type Crystal Structure
- 3p-F-5 Mn/ZnTe(110)のMn3p-3d共鳴光電子分子
- 3p-F-4 希薄磁性半導体Zn_Mn_xTeの正・逆光電子分光
- Photoemission and Inverse Photoemission Study of MnTe
- スクッテルダイト型構造結晶と電子状態
- 17pRG-5 CoSb_3の正・逆光電子分光による電子状態
- DV-Xα法によるIII-V族化合物半導体の電子状態の研究
- 28a-YC-9 正・逆光電子分光による黒リンの電子状態の研究
- クロムカルコゲナイドの電子状態
- 非線形光学結晶Sr_2Be_2B_2O_7(SBBO)の電子状態の研究
- 非線形光学結晶KBBFの電子状態の研究
- スクッテルダイト型CoSb_3の電子状態の研究
- 二次元空間における量子ダイナミックス
- 12pPSA-8 Bi_2Te_3, Bi_2Se_3 および Sb_2Te_3 の角度分解光電子分光(領域 4)
- 29p-H-4 Mo_4O_の電子状態
- Electronic Structure of Zn_Mn_XTe Studied by Synchrotron-Radiation Photoemission
- 25p-ZD-4 Mn/CdTe(110)界面の光電子分光
- 30p-E-3 Zn_Mn_xTeの局所構造とMn3d電子状態
- Construction of Photoluminescence Measurement System
- 逆光電子分光装置の性能評価とTeの伝導帯構造の研究
- 逆光電子分光装置の設計・製作
- Synchrotron Radiation Study of Fe 3d States in Cd_Fe_XSe(X=0.11)
- 12a-DC-3 NiAs型MnTeの正・逆光電子分光
- 12a-DC-2 Cd_Mn_xTe中の正・逆光電子分光
- 29a-P-5 Cd_Mn_xTeの逆光電子分光
- Computer Controlled System For Resistivity Measurements
- 29p-H-14 逆光電子分光用高分解能光検出器の試作
- 26aHG-2 トポロジカル絶縁体三元カルコゲナイドの放射光角度分解光電子分光(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aHG-3 Controlling the topological surface states of Bi_2Se_3 by guest atoms intercalation
- 22aTN-8 ARPES及びXMCD分光を用いたMnドープBi_2Se_3の電子状態の研究(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
- 23pTR-2 低エネルギー放射光ARPESを用いたトポロジカル絶縁体三元カルコゲナイドにおけるディラック電子状態の観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTC-2 Electronic states of Co and Fe atoms deposited on topological insulator Bi_2Se_3 studied by XMCD, ARPES and STM
- 24pTC-5 Relocation of the topological state of Bi_2Se_3 beneath the surface by Ag intercalation
- 7pPSA-13 CoSb3のCo 2p-3d内殻吸収領域での光電子分光(領域5)
- 8aSF-8 NdMn_2Ge_2,GdMn_2Ge_2の電子状態(軟X線散乱・放射光真空紫外分光・MCD,領域5)
- 28aDD-10 偏光依存スピン角度分解光電子分光を用いたトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3における表面状態のスピンテクスチャーの研究(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 6aPS-57 YbSnCu4と関連化合物の電子状態の研究(4f・5f電子系,重い電子系,遷移金属酸化物,領域8)
- 28aDD-11 非層状物質三元トポロジカル絶縁体TIBiSe_2の勢開最表面の決定(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- スクッテルダイト型構造結晶と電子状態