黒田 健太 | 広大院理
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概要
関連著者
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木村 昭夫
広大院理
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黒田 健太
広大院理
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生天目 博文
広大放射光
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奥田 太一
広大放射光セ・先端計測
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宮本 幸治
HSRC, Hiroshima Univ.
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宮本 幸治
広大放セ
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宮本 幸治
広大放射光セ
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Namatame H.
Hsrc Hiroshima Univ.
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谷口 雅樹
広大院理:hisor
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奥田 太一
広大放セ
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奥田 太一
広大放射光
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谷口 雅樹
広大院理
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木村 昭夫
広大理
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黒田 健太
広大大学院理
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宮本 幸治
広大放射光
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生天目 博文
広大放射光セ
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木村 昭夫
東大物性研
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Nakatake M.
Hsrc Hiroshima Univ.
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生天目 博文
広大放セ
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Namatame Hirofumi
広大放セ
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奥田 太一
広島大放セ
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Namatame Hirofumi
Department Of Materials Science Facalty Of Science Hiroshima University
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生天目 博文
放射光科学研究センター
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谷口 雅樹
広大放セ
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Namatame Hirofumi
Department Of Physics Faculty Of Science University Of Tokyo
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奥田 太一
広島大学放射光科学研究センター
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宮原 寛和
広大院理
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松田 太一
東大工
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松田 太一
東大院工
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木村 雅仁
阪大基礎工
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谷口 雅樹
広大放射光:広大院理
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前川 貴政
広大院理
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谷口 雅研
広大放射光:広大理
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島田 賢也
広大放射光セ
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谷口 雅樹
広大理
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奥田 太一
広大放射光セ
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叶丸 孝治
広大院理
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谷口 雅樹
広大大学院理:広大放射光セ
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岡本 和晃
広大院理
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Taniguchi M.
Grad. Sch. Sci. Hiroshima Univ.:hsrc Hiroshima Univ.
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谷口 雅樹
広大放射光
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谷口 雅樹
広島大学大学院理学研究科:広島大学放射光科学研究センター
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谷口 雅樹
広大院理:広大放セ
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仲武 昌史
広大放射光
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島田 賢也
広大放セ
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西村 良祐
広大院理
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TAGUCHI Munetaka
RIKEN/SPring-8
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Chulkov E.
ドノスティア国際物理セ
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Eremeev S.
トムスク大
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白井 開渡
広大院理
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島田 賢也
広大放射光
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門野 利治
広大院理
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叶 茂
広大院理
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植田 義文
呉高専
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植田 義文
呉工業高等専門学校電気情報工学科
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植田 義文
徳山工業高等専門学校情報電子工学科
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Namatame Hirofumi
Hiroshima Synchrotron Radiation Center Hiroshima Univ. Higashi-hiroshima 739-0046 Jpn
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金 聖憲
広大院理
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植田 義文
呉高専電
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Braun J.
ミュンヘン大
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Minar J.
ミュンヘン大
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Ueda Y
Kure National Coll. Technol. Kure Jpn
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生天目 博文
Hisor
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金 聖憲
東大物性研
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島田 賢也
広島大
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白井 開渡
広島大院理
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Menshchikova T.
トムスク大
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叶 茂
広大放射光
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藁科 拓也
広大院理
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有田 将司
広大放射光セ
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斎藤 祐児
原子力機構放射光
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有田 将司
広大放セ
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上田 茂典
NIMS Spring-8
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成田 尚司
東大物性研
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Namatame Hirofumi
Department Of Physics University Of Tokyo
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Shimada K.
広大放セ
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武田 幸治
広大放射光セ
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齋藤 祐児
原研
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Taniguchi Masaki
Grad. Sch. Sci. Hiroshima Univ.:hsrc Hiroshima Univ.
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宮本 幸冶
広大放射光
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山田 洋平
広大院理
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Donath M.
ミュンスター大
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斎藤 祐二
大阪大学基礎工学部
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竹田 幸治
原子力機構量子ビーム
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竹田 幸治
原研/SPring-8
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斎藤 祐児
原研/SPring-8
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Donath Markus
ミュンスター大
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Braun Jurgen
ミュンヘン大
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斎藤 祐児
原子力機構/量子ビーム
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有田 将司
広大放射光
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叶 茂
広大放セ
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Kokh K.
ノボシビルスク大
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Tereshchenko O.
ノボシビルスク大
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Chulkov E.
ドノスティア国際物理研
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谷口 雅樹
広大放射光セ:広大院理
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Nurumamat M.
広大院理
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Kokh K.
広大院理
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Tereshchenko O.
広大院理
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上田 茂典
NIMS
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有田 得司
広大放射光
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竹田 幸治
原研/SP-8
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Chulkov E.
ドノスティア物理研
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Aliev Z.
バクー大
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Amiraslanov I.
バクー大
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Babanly M.
バクー大
著作論文
- 23pHL-8 1/2原子層Bi吸着したW(110)のスピン偏極表面電子状態(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
- 27aYG-5 W(110)のBi微量吸着系におけるスピン偏極電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aWX-10 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3における表面・バルク電子散乱(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aXA-12 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3のフェルミ面と表面電子散乱(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25aWX-2 W(110)表面におけるスピン軌道誘起バンドギャップ中のRashba型スピン偏極表面状態(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-39 Ag吸着によるBi(111)表面スピン電子状態への影響(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aHB-8 高効率スピン検出器を備えたスピン分解光電子分光装置の開発とその性能評価(28aHB 放射光真空紫外分光・MCD・光電子分光(強相関係・スピン分解・理論等),領域5(光物性))
- 26aTH-9 高分解能スピン分解光電子分光を用いたBi(111)表面スピン電子状態の観測(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aJB-2 W(110)のスピン偏極表面電子構造における異方的ディラックコーン(23aJB 表面界面構造(金属・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19aEA-11 MnドープBi_2Se_3の磁性と電子状態(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aEA-10 Bi_2Te_2Se及びBi_2Se_2Teのスピン分解光電子分光(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pCK-2 Bi(111)表面のC_対称性による異方的Rashba効果(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXK-4 トポロジカル絶縁体TlBiSe_2のバルクキャリア制御された単結晶育成と表面状態の観測(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXK-2 トポロジカル絶縁体Bi_2Te_2Seのスピン偏極表面電子状態(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSA-39 高分解能3次元スピン分解光電子分光装置の開発(28pPSA 領域5ポスターセッション(新光源・新分光法・微粒子・ナノ結晶ほか),領域5(光物性))
- 28aJA-1 強磁性Ni(110)上のAu量子ワイヤにおけるRashbaスピン分裂バンド(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pAQ-3 PbBi_4Te_7の埋もれたトポロジカル表面状態(30pAQ 領域9,領域4合同 トポロジカル表面,領域9(表面・界面・結晶成長))