谷口雅研 | 広大放射光:広大理

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概要

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著作論文

19aEA-11 MnドープBi_2Se_3の磁性と電子状態(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
28pXK-3 W(110)表面電子状態のC_対称性による平らなディラックコーン(28pXK 表面界面電子物性・金属,領域9(表面・界面,結晶成長))
26aXK-4 トポロジカル絶縁体TlBiSe_2のバルクキャリア制御された単結晶育成と表面状態の観測(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
26aXK-2 トポロジカル絶縁体Bi_2Te_2Seのスピン偏極表面電子状態(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
28pPSA-39 高分解能3次元スピン分解光電子分光装置の開発(28pPSA 領域5ポスターセッション(新光源・新分光法・微粒子・ナノ結晶ほか),領域5(光物性))
26aEK-12 Pb(110)単結晶の偏光依存高分解能角度分解光電子分光(26aEK 放射光・光電子・発光,領域5(光物性))
28pXG-7 バルクキャリアドーピングによるTlBiSe_2トポロジカル表面状態のスピンヘリシティ制御(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
28pXG-6 トポロジカル絶縁体GeBi_2T_4のスピン角度分解光電子分光(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
27pXJ-6 銅酸化物高温超伝導体Bi2212の繰り込み効果の波数およびホール濃度依存性(27pXJ 銅酸化物2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
26aXG-9 BaFe_2(As,P)_2における擬ギャップ2(26aXG 鉄砒素系1(輸送特性・光電子分光・理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
27aPS-45 YbNiGe_3の圧力依存X線発光分光(27aPS 領域8ポスターセッション(磁性,低温1),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
27aPS-35 YbNi_3X_9(X=Al,Ga)の角度分解光電子分光(27aPS 領域8ポスターセッション(磁性,低温1),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
29aXJ-7 角度分解光電子分光によるIrTe_2の電子状態(29aXJ 超伝導物質,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
29aXX-8 擬一次元的励起子絶縁体Ta_2NiSe_5の1粒子励起スペクトル(29aXX 遷移金属化合物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
28pPSB-7 CoMoCAT法で合成された極細カーボンナノチューブの光電子分光II(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
27pXJ-4 電子ドープ型高温超伝導体T'-Pr_La_Ce_xCuO_4(x=0.10)における擬ギャップの消失II(27pXJ 銅酸化物2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
26pPSA-8 HOPG上に形成したLi薄膜の光電子分光(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
26aEK-10 La/W(110)の高分解能角度分解光電子分光(26aEK 放射光・光電子・発光,領域5(光物性))
29aEJ-3 角度分解光電子分光を用いた自己エネルギー導出方法の改善(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
26aEK-11 パラジウムの高分解能角度分解光電子分光:自己エネルギーの定量解析(26aEK 放射光・光電子・発光,領域5(光物性))
9aXC-6 近藤半導体YbB12の低エネルギー励起光電子分光(重い電子系,(近藤半導体,セリウム系),領域8)
26pED-4 銅酸化物高温超伝導体Bi_2212の転移温度と超伝導ギャップの関係(銅酸化物2,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
26aPS-44 最適ドープBi2212の超伝導ギャップ異方性におけるY置換効果(理論,空間非対称,アクチノイドなど,領域8ポスターセッション,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
28aDD-10 偏光依存スピン角度分解光電子分光を用いたトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3における表面状態のスピンテクスチャーの研究(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
26aEC-8 Ba(Fe_Co_x)_2As_2の超伝導ギャップの異方性(鉄砒素系2(光分子分光),領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
26aEC-12 BaFe_2(As_P_x)_2のバンド分散、フェルミ面の組成依存性(鉄砒素系2(光分子分光),領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
25aPS-145 硬X線光電子分光によるEuNi_2(Si_Ge_x)_2(x=O.70,0.79,0.82)の温度誘起価数転移(籠状化合物・重い電子系および価数揺動,領域8ポスターセッション,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
25aPS-130 YbB_6の圧力依存X線発光分光(籠状化合物・重い電子系および価数揺動,領域8ポスターセッション,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
25aPS-38 (100)配向したPd薄膜の膜厚に依存した磁性 II(スピントロニクス・表面・界面磁性・マルチフェロイクス・遍歴磁性・磁性一般,領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
26pPSB-1 角度分解光電子分光によるLa/W(110)の4f電子の寄与(領域5ポスターセッション(放射光,光電子分光,発光,非線形,フォトニック結晶),領域5(光物性))
26pPSB-3 偏光依存高分解能角度分解光電子分光によるPb(110)単結晶の表面電子状態(領域5ポスターセッション(放射光,光電子分光,発光,非線形,フォトニック結晶),領域5(光物性))
25aPS-118 Yb_3Si_5及びYb_3Ge_5の高分解能光電子・発光分光測定(領域8ポスターセッション(籠状化合物・重い電子系および価数揺動など),領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
25aJA-5 トポロジカル絶縁体Bi_2Te_2Seの巨大Rashba効果(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
28aJA-1 強磁性Ni(110)上のAu量子ワイヤにおけるRashbaスピン分裂バンド(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
26aEC-10 La,PコドープCaFe_2As_2の角度分解光電子分光 II(鉄砒素系2(光分子分光),領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
28aDD-11 非層状物質三元トポロジカル絶縁体TIBiSe_2の勢開最表面の決定(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
28aKM-4 Ni/Pd(001)超薄膜の構造および磁性の薄膜依存性(表面磁性(表面・界面・ナノ粒子),領域3,領域9合同,領域3(磁性,磁気共鳴))
28aKM-3 Au(111)表面上に形成したCoナノクラスターの構造と磁性(表面磁性(表面・界面・ナノ粒子),領域3,領域9合同,領域9(表面・界面,結晶成長))
28aKM-4 Ni/Pd(001)超薄膜の構造および磁性の薄膜依存性(表面磁性(表面・界面・ナノ粒子),領域3,領域9合同,領域9(表面・界面,結晶成長))
28aKM-3 Au(111)表面上に形成したCoナノクラスターの構造と磁性(表面磁性(表面・界面・ナノ粒子),領域3,領域9合同,領域3(磁性,磁気共鳴))

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