叶丸 孝治 | 広大院理
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概要
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広大放射光科学研究センター
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電通大量子・物質工:jstさきがけ
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Grad. Sch. of Sci., Hiroshima Univ.
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Krasovskii E.
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ドノスティア国際物理セ
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宮原 寛和
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Susaki Tomofumi
Department Of Physics And Department Of Complexity Science And Engineering University Of Tokyo:(pres
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Donath M.
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Braun J.
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広大放射光:広大院理
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谷口 雅樹
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島田 賢也
広島大放射光
著作論文
- 23pHL-8 1/2原子層Bi吸着したW(110)のスピン偏極表面電子状態(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
- 27aYG-5 W(110)のBi微量吸着系におけるスピン偏極電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-5 Sb吸着Si(111)表面のスピン分解ARPES(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXA-4 V族(111)表面におけるスピン分裂バンドの直接観測(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYD-6 Bi(111)単結品表面のスビン分裂電子状態(20aYD 放射光・光電子(表面・薄膜・低次元物質),領域5(光物性))
- 20aYD-5 Sb(111)単結晶表面のスピン分解ARPES(20aYD 放射光・光電子(表面・薄膜・低次元物質),領域5(光物性))
- 26pTD-2 Bi(111)単結晶表面のスピン角度分解光電子分光(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pRE-8 Bi(111)のバルク状態におけるラシュバ型スピン偏極の観測(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
- 25aWX-2 W(110)表面におけるスピン軌道誘起バンドギャップ中のRashba型スピン偏極表面状態(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-39 Ag吸着によるBi(111)表面スピン電子状態への影響(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))