27p-LE-8 RFスパッタリングによるa-Sb膜のギャップ内状態密度(半導体)

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1987-03-27

著者

• 尾崎 肇

  早大理工

• 後藤 公太郎

  早大理工

• 横山 隆弘

  早大理工

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