12p-Y-7 Al-GaAs(110)におけるAl2p内殻励起子と共鳴電子放出

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1983-09-13

著者

• 渡辺 望

  光共研

• 小林 啓介

  光共研

• 中島 尚男

  光共研

• 窪田 政一

  東大物性研

• 大門 寛

  東大物性研

• 村田 好正

  東大物性研

• 中島 尚男

  東大物性研

• 大門 寛

  阪大基礎工

関連論文

• 3p-RJ-2 Al-GaAs(110)界面の共鳴光電子放出のAl被覆度依存性
• 12p-Y-7 Al-GaAs(110)におけるAl2p内殻励起子と共鳴電子放出
• 30p-P-8 半導体の内殻励起領域における光電子分光
• 3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光
• 4a-E-4 K/Cu(100)の光電子分光
• 7a-B-12 パルス電場変調によるサイクロトロン共鳴
• 27a-E-8 角度分解光電子分光によるNO/Pt(001)表面の研究
• 25p-PS-46 Si(001)清浄表面の構造相転移
• 31a-T-6 レーザーを用いた角度分解共鳴二光子光電子分光による表面研究の装置製作
• 6a-T-6 シリコン上のアルカリ吸着とモンテカルロシミュレーション
• 6a-T-5 FI-STMおよびLEEDによるSi(001)2x1-Liの研究
• 3a-T-7 Si(001)のLEED : ストリーク・パターン
• 4a-B4-5 金属(M)/Si(111)系の室温界面反応 : M-Si接合
• 3p-B4-4 Surface structure studies of NbMo(100)alloys
• 3a-C4-11 K/Si(001)の光電子分光II
• 3a-C4-7 Impurity effects of the SiO_2-Si(100)interface studied by Angle-Resolved UPS
• 30a-D-12 Au-Si(111)系の表面電子状態
• 29a-D-6 Si(001)の角度分解光電子分光
• 29a-D-5 Si(001)面からの二次電子放出
• 27a-D-9 Cu(001)-Kの角度分解光電子分光
• 2p-S-9 アモルファス酸化イリジウムのUPSスペクトルと電気化学的特性
• 2p-S-8 低速電子回折像の迅速測定II
• 1p-S-10 Au/Si(111)の光電子分光
• 1a-S-2 Si(001)2×1-Csの低温における構造相転移
• 4a-E-5 Si(111)2×1上のCs吸着状態
• 28p-PSB-30 Au(001)表面逆再構成と吸着塩素層
• 29p-G-1 Au(001)上での塩素の超格子構造
• 2a-RJ-9 K/Cu(100)の角度分解型SOR光電子分光
• 31p-M-13 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜Hf/Feの研究
• 3a-TC-16 GaAsの共鳴光電子放出
• 27a-SB-10 光電子分光法によるa-Si_xC_ : Hの価電子帯の検討 (III)
• 30p-P-7 NiySi(y=0, 0.5, 1, 1.5, 2, 2.5, 3)からの共鳴型光電子放出 II
• 30a-B-11 光電子分光法によるa-Si_xC_:Hの価電子帯の検討 (II)
• 31p-F-4 価電子状態と内殻励起
• 30a-F-13 a-Si_xC_:Hの光電子分光法による検討
• 2p-NM-4 Ni/Si界面電子構造-NiSiyの光電子分光
• 3a-NGH-23 NiSi_x(x=0,2/5,1/2,2/3,1/1,2/1,∞)からの共鳴型光電子放出
• 31a-J-5 Ni/Si界面のシンクロトロン放射による光電子分光
• 5p-DR-20 清浄Si-Al界面における結合状態(I)
• 1p-BE-12 AESによる清浄AL表面の吸着現象の検討
• 1a-YA-8 Au(001)上の原子状水素の挙動
• 1a-H-9 H/Si(111)とH/W(001)へのAg蒸着と水素の拳動 : 共鳴核反応による測定
• 27p-ZF-11 共鳴核反応によるSi表面及び界面の水素の分析
• 27p-ZF-9 表面近傍における水素の動的挙動
• 25p-PS-32 W(110)表面上の水素の挙動
• 30p-SPS-22 負イオン生成の新しい試み
• 3a-E-12 MeVイオン散乱によるGaAs(001)表面構造
• 4a-T-1 熱エネルギーミュオニウム放出における表面効果II
• 5a-PS-41 Al(001)上のカリウム吸着 : 温度依存性
• 2p-T-1 Ag(001)上のアルカリ金属吸着 : 温度による違い
• 29a-Y-12 Cu(100)上へのK吸着とその上へのCO吸着 I
• 4p-NM-4 Cu(100)上吸着したCOとN^+ビームとの素反応過程の研究
• 11a-M-10 イオン-分子反応(CO_2^++D_2=DCO_2^++D)の反応断面積のエネルギー依存性
• 東大物性研における静電型低速陽電子ビームの開発
• 3p-J-11 Pt(111)-Ge表面合金層の電子構造とNO吸着
• 31p-J-10 Pt・Ge表面合金層上のNOとCOの吸着と脱離
• Cu(001)表面に吸着したK原子層に見られる非整合構造と相転移(表面に特有な超格子構造の解析とその新しい方法の開発,科研費研究会報告)
• 誌上討論(表面物性 II. 表面を探る)
• 特集にあたって(表面物性 I. 表面界面の諸問題)
• 30p-P-2 四塩化炭素の柔粘性結晶の構造
• 30p-L-13 CuFeS_2の共鳴光電子分光
• 31p KA-10 MgO(001)面の低速電子エネルギー損失スペクトル
• 1a GB-6 低速電子線照射によるMgO (001) 面からの発光
• 5a-BK-7 MgO(001)の紫外光電子分光の回折効果
• 10a-Z-9 エネルギー分散型X線回折装置による水の構造解析
• 28a-K-12 飛行時間型2次電子放出分光によるMgO(100)表面近傍の電子状態・格子振動の測定
• 2p-D-6 UHV飛行時間電子分光装置の開発
• 31a-L-3 飛行時間電子分光法によるNiO(100),MgO(l00)の表面格子振動の観測
• 2p-NM-9 飛行時間法電分光によるSi(100)酸化面の測定
• 低速電子線回折とspin polarization : X線・粒子線
• 中低速電子の結晶によるエネルギー損失の測定 : X線・粒子線
• 中低速電子の結晶によるエネルギー損失の測定装置 : X線粒子線
• 5軸型低速電子回折計の試作 : X線粒子線
• 15a-H-4 低速電子廻折における散乱因子
• 15a-H-3 低速電子線回折におけるDebye温度のBethe potential効果
• 15a-H-2 数kV電子の結晶による回折I : 反射の半価巾
• 15a-H-1 1000eV程度の電子線を用いた回折装置の製作
• 31a GC-4 MnPおよびMnSiの極紫外光電子スペクトル
• 31a GF-5 シンクロトロン放射を用いた光電子分光実験
• 30a-ZF-8 Cl/Si(111)7x7 の 紫外レーザーエッチング
• 29p-BPS-36 Si(100)におけるアルカリ吸着 : FI-STM/STS
• 27p-E-7 Cl/Si(111)7x7のSTM/STS
• 24p-R-11 Cl/Si(111)7x7のSTM/STS
• 低速電子回折 (単原子層の測定)
• 1p-KK-12 低速電子回折像の迅速測定I
• 4a-RJ-10 Si(111)2×1へのCs吸着に伴う表面電子状態の変化
• 12p-Y-8 アルカリ原子/Cu(100)系のLEED観察
• 31p-CK-8 (SN)_x の結晶成長
• 10a-S-1 (SN)_x単結晶育成と問題点
• 12p-Y-6 Cs/Si(111)2×1系の光電子スペクトル
• LEED強度の迅速測定
• 31a-L-5 InSb(110)表面における内殻準位シフト
• 1p-U-13 SOR光を用いたMgO(100),(110)面の光電子分光および帯電効果
• 30a-BE-9 Si(100)上のアルカリ金属吸着層の角度分解電子エネルギー損失スペクトル
• 5p-AE-5 アンスラセン単結晶の構造欠陥
• 1a-BH-1 アンスラセン (C_14H_10,C_14D_10) 混昌系の光学的性質
• 3a-F4-8 低速電子回折法によるSi(111)√3x√3-Agの研究(2)(表面・界面)
• 30p-H-15 Ag-Si(111)_2×1の光電子分光(表面・界面)
• 29a-TJ-8 金属-半導体界面形成初期過程 : Tm-Si(111)2x1(29aTJ 表面・界面)
• 2p-A1-2 Tunable ELSによるK/Si(111)-7×7(2p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク