3a-E-12 MeVイオン散乱によるGaAs(001)表面構造
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
3p-RJ-2 Al-GaAs(110)界面の共鳴光電子放出のAl被覆度依存性
-
12p-Y-7 Al-GaAs(110)におけるAl2p内殻励起子と共鳴電子放出
-
30p-P-8 半導体の内殻励起領域における光電子分光
-
7a-B-12 パルス電場変調によるサイクロトロン共鳴
-
3a-TC-16 GaAsの共鳴光電子放出
-
27a-SB-10 光電子分光法によるa-Si_xC_ : Hの価電子帯の検討 (III)
-
30p-P-7 NiySi(y=0, 0.5, 1, 1.5, 2, 2.5, 3)からの共鳴型光電子放出 II
-
30a-B-11 光電子分光法によるa-Si_xC_:Hの価電子帯の検討 (II)
-
31p-F-4 価電子状態と内殻励起
-
30a-F-13 a-Si_xC_:Hの光電子分光法による検討
-
2p-NM-4 Ni/Si界面電子構造-NiSiyの光電子分光
-
3a-NGH-23 NiSi_x(x=0,2/5,1/2,2/3,1/1,2/1,∞)からの共鳴型光電子放出
-
31a-J-5 Ni/Si界面のシンクロトロン放射による光電子分光
-
5p-DR-20 清浄Si-Al界面における結合状態(I)
-
1p-BE-12 AESによる清浄AL表面の吸着現象の検討
-
RHEED振動とフォトルミネッセンスによるMBE成長 : AlGaAs-GaAsヘテロ界面の単分子層ステップの観察 : 原子層エピタキシー技術の基礎 : トピカル・シンポジウム
-
3a-E-12 MeVイオン散乱によるGaAs(001)表面構造
-
4a-PS-17 低速イオン散乱によるMBE成長GaAs表面ラフネスのその場観察
-
31a-L-5 InSb(110)表面における内殻準位シフト
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク