4a-PS-17 低速イオン散乱によるMBE成長GaAs表面ラフネスのその場観察

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1990-09-12

著者

• 久保 実

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 久保 実

  松下電器産業(株)

• 成沢 忠

  半導体研究センター

• 久保 実

  松下電器産業 先端技研

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