UHV-CVD法によるSiGeC混晶半導体のエピタキシャル成長
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概要
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UHV-CVD法を用いてSiGeC混晶半導体のエピタキシャル成長をおこなった。SiGeC結晶内の格子位置に占めるC濃度にはある限度値が存在し、Ge組成が大きくなるほど限界C濃度は小さくなることが明らかになった。SiGeC結晶の熱的安定性やバンドギャップの評価をおこなった結果、Ge組成の大きい組成領域のSiGe層にCを添加することにより、格子歪が低減され、ナローギャップを保ったまま結晶の熱的安定性が向上することが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-12-14
著者
-
久保 実
松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ
-
斉藤 徹
松下電器産業株式会社先端技術研究所
-
神澤 好彦
松下電器産業株式会社先端技術研究所
-
幸 康一郎
松下電器産業株式会社先端技術研究所
-
豊田 健治
松下電器産業株式会社先端技術研究所
-
浅井 明
松下電器産業株式会社先端技術研究所
-
高木 剛
松下電器産業株式会社先端技術研究所
-
神澤 好彦
松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター
-
幸 康一郎
松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ
-
浅井 明
松下電器産業(株)先端技術研究所
-
浅井 明
同志社大学工学部電子工学科
-
久保 実
松下電器産業 先端技研
-
高木 剛
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
-
斉藤 徹
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
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