極薄酸化膜を介したシリコンバンド間トンネル素子の形成と評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
我々は、シリコン材料を用いて高温で動作する新しい構造の素子を提案した。この素子は、トンネルダイオードのp^+型電極とn^+型電極の間に極薄シリコン酸化膜を挿入することで熱拡散電流及び電極の間の不純物相互拡散を抑制するものである。実際に素子を試作、評価したところ、室温においてもPV比1.6の明瞭な負性抵抗を示す素子を実現することができた。さらにこの素子と抵抗を組み合わせて双安定動作を実現できることを示した。この素子の形成はULSIプロセスを基本にしており、CMOS素子との混載も容易に実現可能である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-04-24
著者
-
幸 康一郎
松下電器産業株式会社先端技術研究所
-
吉井 重雄
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
幸 康一郎
松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ
-
幸 康一郎
松下電器産業株式会社 中央研究所
-
大仲 清司
松下電器産業株式会社先端技術研究所
-
上野山 雄
松下電器産業
-
空田 晴之
松下電器産業 先端研
-
森田 清之
松下電器産業(株)半導体社
-
森本 廉
松下電器産業株式会社 中央研究所
-
吉井 重雄
松下電器産業株式会社 中央研究所
-
吉井 重雄
松下電器産業(株)、半導体研究センター
-
森本 廉
松下電器産業株式会社先端技術研究所
-
森本 廉
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
-
森田 清之
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
-
大仲 清司
松下電器産業株式会社 中央研究所
-
大仲 清司
松下電器産業(株) 先端技術研究所 ナノテクノロジー研究所
-
大仲 清司
松下電器産業株式会社
-
上野山 雄
松下電器産業株式会社 中央研究所
-
上野山 雄
松下電器産業(株)中央研究所
関連論文
- UHV-CVD法によるSiGeC混晶半導体のエピタキシャル成長
- SiGeCのUHV-CVD成長と応用
- 酸素イオン注入によるII-VI族青緑色レーザ
- 25pRA-10 In_xGa_Nにおける固有発光の一軸性応力効果
- ワイドギャップ半導体GaN/AIGaN量子井戸構造の光物性
- SiGe-ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- SiGe-ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- SiGe-ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- SiGeチャネルヘテロ構造CMOS
- AlGaInP系歪多重量子井戸レーザの利得特性
- A-1-11 ストカスティック・コンピューティングによるマンハッタン距離の高速近似プロセッサ(A-1. 回路とシステム, 基礎・境界)
- ZnCdSe系青色面発光レーザダイオード
- 強誘電体を用いた低電圧用負電位発生回路の提案(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 強誘電体を用いた低電圧用負電位発生回路の提案(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 強誘電体を用いた低電圧用負電位発生回路の提案(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 強誘電体を用いた低電圧用負電位発生回路の提案(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- A-1-30 強誘電体プログラマブル・ロジック・デバイスの動作安定化検討
- 28p-K-13 溶液気化方式MOCVD膜中における残留カーボンの評価
- 極薄酸化膜を介したシリコンバンド間トンネル素子の形成と評価
- 極薄酸化膜を介したシリコンバンド間トンネル素子の形成と評価
- MOVPE成長AlGaInP混晶におけるZnアクセプタの水素パッシベーション
- 低電圧化シリコン微構造電子源
- 2-9 企業内研究で学生の方に期待すること(企業・研究機関からのメッセージ,エレクトロニクス,情報通信,情報・システム系学生へのメッセージ)
- Pt添加磁性電極を用いた強磁性トンネル接合の高耐熱性
- 薄膜絶縁層を有するSiトンネルダイオードの作製と実証
- シリコンを用いた量子化機能素子の研究開発 (特集 量子化機能素子プロジェクト)
- 極薄絶縁膜を用いた新しいSiバンド間トンネルダイオードとそのメモリ応用 (特集:Siナノデバイス)
- シリコン量子細線の作製とその伝導特性
- 半絶縁性InP基板上に集積化した発光用光電子集積回路 (光集積回路特集)
- Br2ガスRIEによるInP LD-PD一体化素子 (光集積回路特集)
- 光電子集積回路用半導体レ-ザ- (「半導体レ-ザ-とその製作」特集号)
- 可視光半導体レーザの現状と展望
- GaN系半導体レーザーの光学利得の第一原理からの解析
- ワイドギャップ半導体GaN/AlGaN量子井戸構造の光物性
- 屈折率導波型赤色半導体レ-ザ- (ダイオ-ド励起固体レ-ザ-)
- ビデオカメラ用低雑音FET