神澤 好彦 | 松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター

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関連著者

• 神澤 好彦

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 神澤 好彦

  松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター

• 高木 剛

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 高木 剛

  松下電器産業(株)先行デバイス開発センター

• 井上 彰

  松下電器産業(株)先行デバイス開発センター

• 浅井 明

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 原 義博

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 浅井 明

  松下電器産業(株)先端技術研究所

• 浅井 明

  同志社大学工学部電子工学科

• 原 義博

  松下電器産業(株)通信デバイス開発センター

• 川島 孝啓

  松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター

• 高木 剛

  西陣病院外科

• 久保 実

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 久保 実

  松下電器産業 先端技研

• 川島 良男

  松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター

• 空田 晴之

  松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター

• 空田 晴之

  松下電器産業 先端研

• 空田 晴之

  松下電器産業(株)先行デバイス開発センター

• 川島 良男

  松下電器産業(株) 先端技術研究所 ナノテクノロジー研究所

• 大西 照人

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 幸 康一郎

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 豊田 健治

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 能澤 克弥

  松下電器産業(株)先端技術研究所半導体グループ

• 幸 康一郎

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 大西 照人

  松下電器産業株式会社 先端技術研究所

• 能澤 克弥

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 高木 剛

  九州大学マス・フォア・インダストリ研究所

• 高木 剛

  国立病院金沢医療センター心臓血管外科

• 能澤 克弥

  パナソニック先端技術研究所

• 高木 剛

  九州大学

• 斉藤 徹

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 齋藤 徹

  松下電器産業(株)先端技術研究所半導体グループ

• 斎藤 徹

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 斉藤 徹

  松下電器産業 (株) 半導体研究センター

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著作論文

• UHV-CVD法によるSiGeC混晶半導体のエピタキシャル成長
• 新しいシリコン系混晶材料Si_Ge_xC_yの成長
• SiGeCのUHV-CVD成長と応用
• SiGe-ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• SiGe-ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• SiGe-ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• SiGe Dynamic Threshold Voltage MOSFET(DTMOS)の特性

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