川島 孝啓 | 松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター

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関連著者

• 井上 彰

  松下電器産業(株)先行デバイス開発センター

• 神澤 好彦

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 高木 剛

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 原 義博

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 神澤 好彦

  松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター

• 高木 剛

  松下電器産業(株)先行デバイス開発センター

• 川島 孝啓

  松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター

• 原 義博

  松下電器産業(株)通信デバイス開発センター

• 高木 剛

  西陣病院外科

• 浅井 明

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

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• 川島 良男

  松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター

• 空田 晴之

  松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター

• 空田 晴之

  松下電器産業 先端研

• 空田 晴之

  松下電器産業(株)先行デバイス開発センター

• 川島 良男

  松下電器産業(株) 先端技術研究所 ナノテクノロジー研究所

• 高木 剛

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• 高木 剛

  国立病院金沢医療センター心臓血管外科

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  九州大学

• 大西 照人

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 大西 照人

  松下電器産業株式会社 先端技術研究所

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著作論文

• SiGe-ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• SiGe-ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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• SiGe Dynamic Threshold Voltage MOSFET(DTMOS)の特性

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