空田 晴之 | 松下電器産業 先端研

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概要

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関連著者

• 空田 晴之

  松下電器産業 先端研

• 森本 廉

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 森田 清之

  松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター

• 井上 彰

  松下電器産業(株)先行デバイス開発センター

• 高木 剛

  西陣病院外科

• 浅井 明

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 高木 剛

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 原 義博

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 浅井 明

  松下電器産業(株)先端技術研究所

• 浅井 明

  同志社大学工学部電子工学科

• 高木 剛

  松下電器産業(株)先行デバイス開発センター

• 空田 晴之

  松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター

• 空田 晴之

  松下電器産業(株)先行デバイス開発センター

• 原 義博

  松下電器産業(株)通信デバイス開発センター

• 神澤 好彦

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 神澤 好彦

  松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター

• 川島 良男

  松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター

• 川島 孝啓

  松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター

• 森田 清之

  松下電器産業(株)半導体社

• 森本 廉

  松下電器産業株式会社 中央研究所

• 森本 廉

  松下電器産業 (株) 半導体研究センター

• 川島 良男

  松下電器産業(株) 先端技術研究所 ナノテクノロジー研究所

• 幸 康一郎

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 吉井 重雄

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 幸 康一郎

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 幸 康一郎

  松下電器産業株式会社 中央研究所

• 大仲 清司

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 上野山 雄

  松下電器産業

• 吉井 重雄

  松下電器産業株式会社 中央研究所

• 吉井 重雄

  松下電器産業(株)、半導体研究センター

• 大仲 清司

  松下電器産業株式会社 中央研究所

• 大仲 清司

  松下電器産業(株) 先端技術研究所 ナノテクノロジー研究所

• 大仲 清司

  松下電器産業株式会社

• 上野山 雄

  松下電器産業株式会社 中央研究所

• 上野山 雄

  松下電器産業(株)中央研究所

• 高木 剛

  九州大学マス・フォア・インダストリ研究所

• 高木 剛

  国立病院金沢医療センター心臓血管外科

• 高木 剛

  九州大学

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著作論文

• SiGe-ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• SiGe-ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• SiGe-ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• SiGeチャネルヘテロ構造CMOS
• 極薄酸化膜を介したシリコンバンド間トンネル素子の形成と評価
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• 薄膜絶縁層を有するSiトンネルダイオードの作製と実証
• シリコンを用いた量子化機能素子の研究開発 (特集 量子化機能素子プロジェクト)
• 極薄絶縁膜を用いた新しいSiバンド間トンネルダイオードとそのメモリ応用 (特集:Siナノデバイス)

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