SiGe-ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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アナログ回路やCMOSの高性能化へ向け、チャネル領域に新材料であるSiGeを用いたSiGeヘテロDTMOSを提案した。従来のSiと比べると、高い相互コンダクタンス(g_m)値を得ることができ,さらに低周波雑音を低減することができた。また、低周波雑音の発生源を明らかにし、低周波雑音の低減への手法を見出した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-14
著者
-
井上 彰
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
-
高木 剛
西陣病院外科
-
神澤 好彦
松下電器産業株式会社先端技術研究所
-
浅井 明
松下電器産業株式会社先端技術研究所
-
高木 剛
松下電器産業株式会社先端技術研究所
-
原 義博
松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ
-
神澤 好彦
松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター
-
浅井 明
松下電器産業(株)先端技術研究所
-
浅井 明
同志社大学工学部電子工学科
-
高木 剛
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
-
川島 良男
松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター
-
空田 晴之
松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター
-
川島 孝啓
松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター
-
空田 晴之
松下電器産業 先端研
-
空田 晴之
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
-
原 義博
松下電器産業(株)通信デバイス開発センター
-
川島 良男
松下電器産業(株) 先端技術研究所 ナノテクノロジー研究所
-
高木 剛
九州大学マス・フォア・インダストリ研究所
-
高木 剛
国立病院金沢医療センター心臓血管外科
-
高木 剛
九州大学
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