SiGe Dynamic Threshold Voltage MOSFET(DTMOS)の特性
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概要
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低消費電力かつ高速動作可能なデバイスとして、Dynamic Threshold Voltage MOSFET(DTMOS)が注目を集めている。我々はDTMOSの特性を向上させるため、歪みSiGe層をチャネルとするSiGe pDTMOSを開発した。SiGe pDTMOSでは、高移動度SiGeチャネルと大きな基板バイアス係数γの効果により、駆動電流の増大と短チャネル特性に優れたデバイスを実現できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-12-13
著者
-
井上 彰
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
-
大西 照人
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
神澤 好彦
松下電器産業株式会社先端技術研究所
-
高木 剛
松下電器産業株式会社先端技術研究所
-
原 義博
松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ
-
神澤 好彦
松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター
-
高木 剛
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
-
川島 孝啓
松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター
-
大西 照人
松下電器産業株式会社 先端技術研究所
-
原 義博
松下電器産業(株)通信デバイス開発センター
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