大西 照人 | 松下電器産業株式会社 先端技術研究所

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概要

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• 松下電器産業株式会社 先端技術研究所の論文著者

関連著者

• 井上 彰

  松下電器産業(株)先行デバイス開発センター

• 大西 照人

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 神澤 好彦

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 高木 剛

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 原 義博

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 神澤 好彦

  松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター

• 高木 剛

  松下電器産業(株)先行デバイス開発センター

• 大西 照人

  松下電器産業株式会社 先端技術研究所

• 原 義博

  松下電器産業(株)通信デバイス開発センター

• 久保 実

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 幸 康一郎

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 豊田 健治

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 浅井 明

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 能澤 克弥

  松下電器産業(株)先端技術研究所半導体グループ

• 斎藤 徹

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 幸 康一郎

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 浅井 明

  松下電器産業(株)先端技術研究所

• 浅井 明

  同志社大学工学部電子工学科

• 久保 実

  松下電器産業 先端技研

• 川島 孝啓

  松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター

• 能澤 克弥

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 能澤 克弥

  パナソニック先端技術研究所

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著作論文

• SiGeCのUHV-CVD成長と応用
• SiGe Dynamic Threshold Voltage MOSFET(DTMOS)の特性

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