幸 康一郎 | 松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

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• 幸 康一郎

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 幸 康一郎

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 久保 実

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 神澤 好彦

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 豊田 健治

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 浅井 明

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 高木 剛

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 吉井 重雄

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 神澤 好彦

  松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター

• 幸 康一郎

  松下電器産業株式会社 中央研究所

• 浅井 明

  松下電器産業(株)先端技術研究所

• 浅井 明

  同志社大学工学部電子工学科

• 大仲 清司

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 久保 実

  松下電器産業 先端技研

• 高木 剛

  松下電器産業(株)先行デバイス開発センター

• 上野山 雄

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• 空田 晴之

  松下電器産業 先端研

• 森田 清之

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• 森本 廉

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• 吉井 重雄

  松下電器産業株式会社 中央研究所

• 吉井 重雄

  松下電器産業(株)、半導体研究センター

• 森本 廉

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 森本 廉

  松下電器産業 (株) 半導体研究センター

• 森田 清之

  松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター

• 大仲 清司

  松下電器産業株式会社 中央研究所

• 大仲 清司

  松下電器産業(株) 先端技術研究所 ナノテクノロジー研究所

• 大仲 清司

  松下電器産業株式会社

• 上野山 雄

  松下電器産業株式会社 中央研究所

• 上野山 雄

  松下電器産業(株)中央研究所

• 井上 彰

  松下電器産業(株)先行デバイス開発センター

• 大西 照人

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 斉藤 徹

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 能澤 克弥

  松下電器産業(株)先端技術研究所半導体グループ

• 斎藤 徹

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 原 義博

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 大西 照人

  松下電器産業株式会社 先端技術研究所

• 原 義博

  松下電器産業(株)通信デバイス開発センター

• 能澤 克弥

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 能澤 克弥

  パナソニック先端技術研究所

• 斉藤 徹

  松下電器産業 (株) 半導体研究センター

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著作論文

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• 極薄酸化膜を介したシリコンバンド間トンネル素子の形成と評価
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