上野山 雄 | 松下電器産業株式会社 中央研究所

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• 大仲 清司

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著作論文

• ワイドギャップ半導体GaN/AIGaN量子井戸構造の光物性
• AlGaInP系歪多重量子井戸レーザの利得特性
• 極薄酸化膜を介したシリコンバンド間トンネル素子の形成と評価
• 極薄酸化膜を介したシリコンバンド間トンネル素子の形成と評価
• GaN系半導体レーザーの光学利得の第一原理からの解析
• ワイドギャップ半導体GaN/AlGaN量子井戸構造の光物性

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