萬濃 正也 | 松下電器産業

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概要

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関連著者

• 萬濃 正也

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 萬濃 正也

  松下電器産業

• 石橋 明彦

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 大仲 清司

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 大仲 清司

  松下電器産業(株) 先端技術研究所 ナノテクノロジー研究所

• 木戸口 勲

  松下電器産業(株)先端技術研究所

• 伴 雄三郎

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 伴 雄三郎

  松下電器産業

• 武石 英見

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 薮内 康文

  (株)松下テクノリサーチ

• 上山 智

  松下電器産業(株) 半導体研究センター

• 上山 智

  松下電器産業

• 薮内 康文

  松下テクノリサーチ

• 上野山 雄

  松下電器産業

• 足立 秀人

  松下電器産業半導体研究センター

• 福久 敏哉

  松下電器産業半導体研究センター

• 田中 清武

  松下電器産業半導体研究センター

• 高森 晃

  松下電器産業半導体研究センター

• 萬濃 正也

  松下電子工業

• 福久 敏哉

  松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部

• 大仲 清司

  松下電器産業株式会社 中央研究所

• 大仲 清司

  松下電器産業株式会社

• 上野山 雄

  松下電器産業株式会社 中央研究所

• 上野山 雄

  松下電器産業(株)中央研究所

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著作論文

• MOVPE法による GaN 結晶成長におけるバッファ層の効果
• AlGaInP系歪多重量子井戸レーザの利得特性
• 可飽和吸収層を有する自励発振型赤色半導体レーザ
• MOVPE成長AlGaInP混晶におけるZnアクセプタの水素パッシベーション

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