可飽和吸収層を有する自励発振型赤色半導体レーザ
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概要
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近年の光ディスクの高密度化や光源の低雑音化に伴い、発振波長が650nm帯の自励発振型赤色半導体レーザの開発が重要となっている。我々は可飽和吸収層を有する650nm帯のAlGaInP系自励発振型赤色半導体レーザを開発した。レート方程式の解析から、AlGaInP系の材料では可飽和吸収層のキャリア寿命の低減が自励発振特性の実現に有効であり、可飽和吸収層への高濃度ドーピングが有効であることが明らかとなった。p型クラッド層中に高濃度ドープ可飽和吸収層を有する自励発振型赤色半導体レーザを作製した。20℃での発振閾値電流は76mA、5mW出力時の動作電流は88mAであった。光出力5mWにおい60℃までの安定な自励発振特性を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-08
著者
-
木戸口 勲
松下電器産業(株)先端技術研究所
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萬濃 正也
松下電器産業(株)半導体研究センター
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足立 秀人
松下電器産業半導体研究センター
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福久 敏哉
松下電器産業半導体研究センター
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田中 清武
松下電器産業半導体研究センター
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高森 晃
松下電器産業半導体研究センター
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萬濃 正也
松下電子工業
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福久 敏哉
松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
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萬濃 正也
松下電器産業
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