AlGaInP系歪多重量子井戸レーザの利得特性

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概要

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スピンスプリットオフバンドを考慮したAlGaInP系歪量子井戸レーザの利得特性を理論的に解析した。井戸層に用いるGaInPはスピンスプリットエネルギーが約0.1eVと小さいために、レーザの利得特性に多大な影響を与えることがわかった。スピンスプリットオフバンドはΓ点においてもライトホールと強く結合し、広いエネルギー範囲で状態密度を増大させる。このため歪の比較的小さい場合、任意の注入レベルにおける最大利得は特に低下する。しかし、歪を導入すると増大した状態密度のエネルギーが変化し、スピンスプリットオフバンドの影響を小さくしたり、逆にこの効果によって高速化を図ったりすることが可能となる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-05-19

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