ワイドギャップ半導体GaN/AIGaN量子井戸構造の光物性
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概要
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未知の物性定数が多いIII族窒化物半導体において、k.p摂動論に用いられる物性定数を第一原理計算による電子帯構造から決定した。それらを用いて、wurtzite型GaN/AIGaN量子井戸のサブバンド構造とレーザ特性である光学利得を調べた。III族窒化物半導体では、窒素原子の強い電気陰性度と弱いスピン-軌道相互作用のため、価電子帯の状態密度が大きく、反転分布を得るためには高いキャリア濃度が必要になる。
- 1997-01-17
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