石橋 明彦 | 松下電器産業株式会社先端技術研究所
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概要
関連著者
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石橋 明彦
松下電器産業株式会社先端技術研究所
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京大理
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石橋 明彦
京大理
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松下電器産業株式会社先端技術研究所
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松下電器
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松下電器産業(株)
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京大総人
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松下電器
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石橋 明彦
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Watanabe M
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
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松下電器産業株式会社先端技術研究所
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松下電器産業(株)半導体研究センター
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松下電器産業(株)、半導体研究センター
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松下電器産業
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松下電器産業株式会社 先端技術研究所
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松下電器産業 (株) 半導体研究センター
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松下中研
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松下中研
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松下電器中研
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松下電器産業(株)半導体研究センター
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薮内 康文
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阪歯大:阪大院基礎工
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京大理
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林 哲介
京大院人間・環境
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京大理
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加藤 利三
元 京大 理
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長谷川 義晃
松下電器
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村田 ヒロシ
京大,理
著作論文
- 25pRA-10 In_xGa_Nにおける固有発光の一軸性応力効果
- 27p-YM-10 InGaN混晶における固有発光の機構
- 2p-YJ-10 InGaN結晶の発光の光学利得
- MOVPE法による GaN 結晶成長におけるバッファ層の効果
- MOVPE成長AlGaInP混晶におけるZnアクセプタの水素パッシベーション
- 27a-W-1 Pb_Cd_xI_2混晶における局在励起子発光の温度依存性
- 5a-W-19 Pb_Cd_xI_2混晶における励起状態の質的変化
- 5a-W-18 Pb_Cd_xI_2混晶における局在励起子発光の寿命
- 2a-N-11 Pb_Cb_xI_2混晶の励起子発光
- 3p-B-6 PbI_2の欠陥局在励起子による発光の時間応答
- 高出力GaN系LDのためのInGaN-MQWの光学利得特性の改善
- エアブリッジ構造を有する低転位GaNの応力解析(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- エアブリッジ構造を有する低転位GaNの応力解析(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- 6pSB-7 GaN, AlGaN, InGaNにおける励起子再結合過程(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4)