高出力GaN系LDのためのInGaN-MQWの光学利得特性の改善
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概要
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- 2004-12-10
著者
-
川口 靖利
松下電器
-
横川 俊哉
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
菅原 岳
松下電器産業(株)
-
石橋 明彦
松下電器産業株式会社先端技術研究所
-
横川 俊哉
松下電器
-
横川 俊哉
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
-
石橋 明彦
松下電器
-
長谷川 義晃
松下電器
-
菅原 岳
松下電器
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