(Cd,Zn)(S,Se)系歪超格子構造におけるヘテロ界面の無秩序化 (2-6族半導体発光材料の物性と青色デバイス<特集>)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 電気学会の論文

著者

• 横川 俊哉

  松下電器産業(株)先行デバイス開発センター

関連論文

• 酸素イオン注入によるII-VI族青緑色レーザ
• AlGaN励起子分子による紫外線発光
• (Cd,Zn)(S,Se)系歪超格子構造におけるヘテロ界面の無秩序化 (2-6族半導体発光材料の物性と青色デバイス)
• 青色発光素子用高品質ZnS結晶の育成とその評価 : 気相成長
• 高出力GaN系LDのためのInGaN-MQWの光学利得特性の改善
• エアブリッジ構造を有する低転位GaNの応力解析(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• ZnS 薄膜における励起子発光特性の成長膜厚依存性

スポンサーリンク