エアブリッジ構造を有する低転位GaNの応力解析(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

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概要

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• サファイア基板上にエアブリッジ構造を用いて選択横方向成長(Air-Bridge Lateral Epitaxial Growth:ABLEG)した低転位GaN結晶におけるウイング部(エアギャップ上の横方向成長した領域)の変形及びその変形をもたらす応力分布について、AFM(Atomic Force Microscopy)観察、有限要素法解析、顕微ラマン分光法を用いて評価した.ABLEG成長したGaNのウイング部は僅かに傾斜して変形し、この傾斜方向はウイング部の結合前後において互いに反対の関係になる.更に、結合したウイング部の厚みの増大と共に前記傾斜角は減少した.有限要素法解析及び顕微ラマン分光法により応力分布を評価した結果、ウイング部の僅かな傾斜はサファイア基板とGaNとの熱膨張係数の不整合(α_GaN<α_sapphire)に起因した成長冷却プロセス時に生じる熱応力分布により定量的に説明できることを確認した.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-06-06

著者

• 川口 靖利

  松下電器

• 横川 俊哉

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 菅原 岳

  松下電器産業(株)

• 石橋 明彦

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 横川 俊哉

  松下電器

• 横川 俊哉

  松下電器産業(株)先行デバイス開発センター

• 横川 俊哉

  松下電器産業(株)、半導体研究センター

• 石橋 明彦

  松下電器

• 川口 靖利

  松下電器産業株式会社 先端技術研究所

• 菅原 岳

  松下電器

• 横川 俊哉

  松下電器産業 (株) 半導体研究センター

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