酸素イオン注入によるII-VI族青緑色レーザ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
酸素イオンの打ち込みによって形成した高抵抗領域を電流狭窄層として用い、青緑色レーザの室温発振に成功した。レーザエピ構造はGaAs基板上に成長したZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe(SQW-SCH)構造を用い、電流狭窄層は、ストライプマスクを用いて選択的に酸素イオンの打ち込みを行い形成した。注入条件は加速電圧90kV、ドーズ量1×10^<13>cm^<-2>で、本条件により約0.14μmの高抵抗領域が形成できた。このレーザ構造によって、しきい値電流約80mA(4.4kA/cm^2)、発振波長517nmの室温パルス発振が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-26
著者
-
辻村 歩
松下電器産業(株)先端技術研究所
-
辻村 歩
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
吉井 重雄
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
横川 俊哉
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
大川 和宏
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
佐々井 洋一
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
横川 俊哉
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
-
横川 俊哉
松下電器産業(株)、半導体研究センター
-
佐々井 洋一
松下電器産業(株)、半導体研究センター
-
大川 和宏
松下電器産業 中研
-
吉井 重雄
松下電器産業株式会社 中央研究所
-
吉井 重雄
松下電器産業(株)、半導体研究センター
-
大川 和宏
松下電器半導体研究センタ-
-
佐々井 洋一
松下電器産業 半導体研セ
-
佐々井 洋一
松下電器産業
-
横川 俊哉
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
関連論文
- 低転位GaNの時間 : 空間分解光熱変換過程の観測(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 低転位GaNの時間-空間分解光熱変換過程の観測(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 酸素イオン注入によるII-VI族青緑色レーザ
- 12a-DE-7 ZnCdSe/ZnSe量子井戸の励起子による光励起レーザ発振II
- AlGaN励起子分子による紫外線発光
- ZnSe系青,緑色半導体レーザーとMBE成長(ヘテロエピタキシー機構)
- CdZnSe/ZnSe SCH構造のTEM,CL観察
- LPE法による1.3μm InGaAsP多重量子井戸型半導体レ-ザ (Siディスクリ-ト/化合物半導体) -- (化合物半導体)
- ZnCdSe系青色面発光レーザダイオード
- 極薄酸化膜を介したシリコンバンド間トンネル素子の形成と評価
- 極薄酸化膜を介したシリコンバンド間トンネル素子の形成と評価
- セレン化亜鉛 (ZnSe) の伝導型制御と青色・緑色半導体レーザーへの応用
- 窒素ラジカルド-ピング法
- (Cd,Zn)(S,Se)系歪超格子構造におけるヘテロ界面の無秩序化 (2-6族半導体発光材料の物性と青色デバイス)
- 青色発光素子用高品質ZnS結晶の育成とその評価 : 気相成長
- 高出力GaN系LDのためのInGaN-MQWの光学利得特性の改善
- エアブリッジ構造を有する低転位GaNの応力解析(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- エアブリッジ構造を有する低転位GaNの応力解析(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- ZnS 薄膜における励起子発光特性の成長膜厚依存性
- 電磁気学, 後藤尚久(著), 電磁気学, (社)電子情報通信学会編, コロナ社 (2002-04), B5判, 定価 (本体2,900円+税)
- The 9th International Workshop on Femtosecond Technology(FST 2002,第9回フェムト秒テクノロジー国際ワークショップ)
- シリコンカーバイド及び関連材料に関する国際会議-2001
- ISCS2001, 第28回化合物半導体国際シンポジウム
- 光通信工学 左貝潤一(著):"光通信工学", 共立出版(株)(2000-10);A5判, 定価(本体2, 600円+税)
- ZnSe系青色面発光レーザー
- ZnSe系面発光レーザー
- II-VI族化合物半導体の有機金属気相成長とその光デバイスへの応用