CdZnSe/ZnSe SCH構造のTEM,CL観察
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概要
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MBE法で成長したCdZnSe,ZnSe SCH構造を等厚干渉縞法、断面TEM(XTEM)およびカソードルミネッセンス(CL法)で評価した。活性層近傍では活性層でけでなくZnSe層が20nmにわたって強く歪んでいることが分かった。また、活性層の両界面では大きな歪があるにも関わらず、界面は平坦で、結晶欠陥が非常に少ないことが分かった。CL法から基板近傍では深い準位からの発光が多く観察された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-05-20
著者
-
一色 俊之
京都工芸繊維大
-
塩尻 詢
京都工芸繊維大
-
成沢 忠
松下電器産業半導体研究センター
-
一色 俊之
京都工繊大 工芸
-
小川 和朗
京都大学医学部
-
大川 和宏
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
三露 常男
松下中研
-
林 茂生
松下電器産業(株)
-
小川 和朗
京都大学
-
高橋 康仁
松下電器産業半導体研究センター
-
大川 和宏
ブレ-メン大固体物理研
-
大川 和宏
松下電器産業 中研
-
三露 常男
松下電器産業(株)中央研究所
-
藪内 康文
松下テクノリサーチ
-
西条 浩志
京都工芸繊維大学工芸学部
-
寧 剛
京都大学医学部
-
一色 俊之
京都工芸繊維大学工芸科学研究科
-
林 茂生
松下中研
-
塩尻 詢
国際電子顕微鏡学会連合
-
林 茂生
くらし環境開発セ
-
藪内 康文
株式会社松下テクノリサーチ
-
成沢 忠
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
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