急速熱処理した極浅イオン注入シリコンウエハの紫外ラマン分光による非破壊結晶性評価(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
紫外ラマン散乱分光法を活用して,極浅イオン注入層の再結晶化過程に関する新しい知見を得た.紫外光の侵入深さがシリコン中ではナノメートルオーダーであることから,紫外ラマン分光を用いることで極浅領域が解析できる.再結晶化にはスパイクアニール法とミリ秒オーダーの光照射によるフラッシュアニール法を用いた.これらのアニール法による再結晶化過程を,数百ナノメートルの厚みの注入層を準等温的にアニールした場合の再結晶化過程と比較した.透過電子顕微鏡観察ではアニール後いずれの試料の注入領域でも明瞭な結晶格子像が観察された.一方,ラマン分光法では,アニール後の注入領域で結晶格子の乱れが観測された.準等温アニールした試料の一部でも格子の乱れが観測された.紫外ラマン分光法により非破壊で感度良く結晶性回復の様子が観測できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-12-07
著者
-
播磨 弘
京都工芸繊維大学工芸学部
-
一色 俊之
京都工芸繊維大
-
一色 俊之
京都工芸繊維大学工芸科学研究科
-
一色 俊之
京都工芸繊維大学 工芸学部
-
吉本 昌広
京都工芸繊維大学地域共同研究センタｰ
-
西垣 宏
京都工芸繊維大学工芸科学研究科
-
Kang Kitaek
WaferMasters, Inc.
-
Yoo Woo
WaferMasters, Inc.
-
Yoo Woo
Wafer Masters Inc.
-
Yoo Woo
Institute Of Microelectronics/a Star
-
Kang Kitaek
Wafermasters Inc.
-
Kang Kitaek
Wafer Masters Inc.
-
吉本 昌広
京都工芸繊維大学地域共同研究センター
-
吉本 昌広
京都工芸繊維大学
-
播磨 弘
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
播磨 弘
京都工芸繊維大学
-
播磨 弘
京都工芸繊維大学 工芸学部
関連論文
- ウルツ鉱型InNのバンドギャップ・エネルギ(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- ウルツ鉱型InNのバンドギャップ・エネルギ(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- 1D02 超微粒 BaTiO_3 の焼結過程のその場観察
- 顕微ラマン散乱分光法によるSiC単結晶の電気的特性の評価
- カソードルミネッセンス顕微鏡によるSiC単結晶中の欠陥観察
- 2I03 BaTiO_3 の合成過程のその場観察
- 2I03 BaTiO_3 の合成過程のその場観察
- 酸化チタン燒結過程の高温その場透過電子顕微鏡観察
- 酸化チタン燒結過程の高温その場透過電子顕微鏡観察
- シリコンナノクリスタルドットの形成(半導体Si及び関連材料・評価)
- CdZnSe/ZnSe SCH構造のTEM,CL観察
- 30a-B-5 Sr 共鳴線の希ガスによる衝突拡がり
- 4a-T-1 Sr共鳴線のXeガスによる衝突拡がり
- CO_2 処理による CaSiO_3 の固化機構(セラミック材料)
- 第5回アジア・太平洋電子顕微鏡学会議報告
- 極低温走査型光学顕微鏡によるワイドギャップ半導体のディープサブミクロンホトルミネセンス像
- 極低温走査型光学顕微鏡によるワイドギャップ半導体のディープサブミクロンホトルミネセンス像
- Homoepitaxial Chemical Vapor Deposition of 6H-SiC at Low Temperatures on {011^^-4} Substrates
- Photoluminescence of Ti Doped 6H-SiC Grown by Vapor Phase Epitaxy
- リフレッシュ理科教室(関西支部)開催報告
- カソードルミネッセンス法による6H-SiC結晶中の欠陥観察
- 急速熱処理した極浅イオン注入シリコンウエハの紫外ラマン分光による非破壊結晶性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 有機金属分子線エピタキシャル法による可視発光半導体GaAsPのSi基板上成長(平成9年度第3回)関西支部研究例会の講演要旨
- RF-MBE法によるInN/Siヘテロ接合の作製とバンドオフセットの測定
- DRIP IX
- 有機液体原料を用いたリモートプラズマCVD法による低炭素濃度シリコン窒化膜の堆積
- Three Dimensional Stress Mapping of Silicon Surrounded by Copper Filled through Silicon Vias Using Polychromator-Based Multi-Wavelength Micro Raman Spectroscopy
- 分子線エピタキシー法によるGaAs_Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- 分子線エピタキシー法によるGaAs_Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- 分子線エピタキシー法によるGaAs_Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,および一般)
- 分子線エピタキシー法によるGaAs_Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作
- Thermal Behavior of Large-Diameter Silicon Wafers during High-Temperature Rapid Thermal Processing in Single Wafer Furnace
- Design of Single-Wafer Furnace and Its Rapid Thermal Processing Applications
- Single Wafer Furnace and Its Thermal Processing Applications
- Slip-Free Rapid Thermal Processing in Single Wafer Furnace
- シリコンカーバイド基板上シリコンMOSFETの製作と放熱効果の実証
- 有機液体原料を用いたラジカルビーム堆積法による低炭素濃度シリコン窒化膜の堆積(半導体エレクトロニクス)
- サブミクロン分解能を持つ極低温顕微ホトルミネセンス測定装置
- サブミクロン分解能を持つ極低温顕微ホトルミネセンス測定装置
- Titanium Silicide Formation and Anneal Using a Susceptor-Based Low Pressure Rapid Thermal Processing System
- Highly Reliable, Backside Emissivity Independent Cobalt Silicide Process Using a Susceptor-Based Low Pressure Rapid Thermal Processing System
- Pulsed Focused-Laser Beam Annealing of Ultra-Shallow Implanted Silicon and In Situ Dopant Activation Monitoring
- Noncontact In-Line Monitoring of Ge Content and Thickness Variations of Epitaxial Si_Ge_x Layers on Si(100) Using Polychromator-Based Multiwavelength Micro-Raman Spectroscopy
- Design of Multi-Wavelength Micro Raman Spectroscopy System and Its Semiconductor Stress Depth Profiling Applications
- Impact of Annealing Methods and Sequences on Dopant Activation and Diffusion of Ultra-shallow Implanted Silicon
- GaNおよび関連窒化物のラマン散乱分光(半導体エレクトロニクス)
- 赤外ラマン部会シンポジウム「振動スペクトルからいかに有益な分子情報を抽出するか : 新しい振動スペクトル解析法」報告
- 光励起によるGaAs_Bi_x/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 : その発振波長の低温度依存性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- Solid-State Phase Transformation in Cubic Silicon Carbide
- ホトルミネセンス法およびDLTS法によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- エピタキシャルAIN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- サブミクロン解像度極低温顕微ホトルミネセンス装置の開発とワイドギャップ半導体の欠陥検出への応用(半導体エレクトロニクス)
- 地域共同研究センター 専任教員 研究成果報告 産官学連携による電子材料・デバイスの開発と応用
- GaNおよび関連窒化物のラマン散乱分光
- 光励起によるGaAs_Bi_x/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 : その発振波長の低温度依存性(奨励講演,半導体レーザ関連技術,及び一般)
- Redistribution of Boron and Fluorine Atoms in BF2 Implanted Silicon Wafers during Rapid Thermal Annealing
- 光励起によるGaAs_Bi_x/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 : その発振波長の低温度依存性
- GaAs1-xBixおよびGaAs/GaAs1-xBixヘテロ界面における局在準位
- ナノスケールウエットエッチング法を用いたSi極浅接合の深さ方向ホトルミネセンス分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 1p-CD-11 Srイオン共鳴線のすそ領域衝突拡がりと原子間相互作用(原子・分子,第41回年会)
- 30p-CD-7 Associative ionization in Rb(nL)-K(4S) collisions