II-VI族化合物半導体の有機金属気相成長とその光デバイスへの応用
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概要
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In spite of a long history of the research and development activity concerning wide-gap compound semiconductors such as ZnSe and ZnS, useful devices have not yet appeared. In this article, we describe recent results of our study on ZnSe/ZnS strained layer superlattices. We first overview the current stage of understanding, then search for different applications of these materials other than the conventional p-n junction devices. Topics include MOCVD growth of the material, its application to optical waveguides and optical modulators, and a proposal of second harmonic generation devices.
著者
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成沢 忠
松下電器産業半導体研究センター
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斉藤 徹
松下電器産業株式会社先端技術研究所
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横川 俊哉
松下電器産業(株)、半導体研究センター
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ワラック エド
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
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斉藤 徹
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
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横川 俊哉
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
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成沢 忠
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
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