AlGaAs/GaAs多重量子細線の作製
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概要
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低次元量子効果デバイスの作製に必要となる超微細構造形成のため,制御性・均一性に優れた方法として2段階エッチング,MBE法による埋め込み成長,再成長界面への硫黄処理を検討した.細線幅が20nm以下で縦方向のサイズゆらぎの少ない埋め込み型のAlGaAs, GaAs多重量子細線構造を形成した.また,これらの方法を用いたAlGaAs/GaAs多重細線レーザ構造を試作し,電流注入による細線部分からの発光と吸収スペクトルから細線化による量子効果を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-21
著者
-
若林 信一
松下電器産業(株)先端技術研究所
-
成沢 忠
松下電器産業半導体研究センター
-
若林 信一
光技術研究開発
-
東郷 仁磨
松下電器産業半導体研究センター
-
豊田 幸雄
光技術研究開発
-
豊田 幸雄
松下技研(株)
-
東郷 仁磨
松下技研
-
成沢 忠
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
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