ZnSe系面発光レーザー

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• レ-ザ-学会の論文
• 1997-07-15

著者

• 横川 俊哉

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 横川 俊哉

  松下電器

• 横川 俊哉

  松下電器産業(株)、半導体研究センター

• 横川 俊哉

  松下電器産業 (株) 半導体研究センター

関連論文

• 酸素イオン注入によるII-VI族青緑色レーザ
• AlGaN励起子分子による紫外線発光
• ZnCdSe系青色面発光レーザダイオード
• 高出力GaN系LDのためのInGaN-MQWの光学利得特性の改善
• エアブリッジ構造を有する低転位GaNの応力解析(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• エアブリッジ構造を有する低転位GaNの応力解析(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• ZnS 薄膜における励起子発光特性の成長膜厚依存性
• 電磁気学, 後藤尚久(著), 電磁気学, (社)電子情報通信学会編, コロナ社 (2002-04), B5判, 定価 (本体2,900円+税)
• The 9th International Workshop on Femtosecond Technology(FST 2002,第9回フェムト秒テクノロジー国際ワークショップ)
• シリコンカーバイド及び関連材料に関する国際会議-2001
• ISCS2001, 第28回化合物半導体国際シンポジウム
• 光通信工学 左貝潤一(著):"光通信工学", 共立出版(株)(2000-10);A5判, 定価(本体2, 600円+税)
• ZnSe系青色面発光レーザー
• ZnSe系面発光レーザー
• II-VI族化合物半導体の有機金属気相成長とその光デバイスへの応用

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク