LPE法による1.3μm InGaAsP多重量子井戸型半導体レ-ザ (Siディスクリ-ト/化合物半導体<特集>) -- (化合物半導体)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 松下電器産業技術総務センター技術情報部の論文

著者

• 佐々井 洋一

  松下電器産業 半導体研セ

関連論文

• 酸素イオン注入によるII-VI族青緑色レーザ
• LPE法による1.3μm InGaAsP多重量子井戸型半導体レ-ザ (Siディスクリ-ト/化合物半導体) -- (化合物半導体)
• ZnCdSe系青色面発光レーザダイオード

スポンサーリンク