菅原 岳 | 松下電器産業(株)
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概要
関連著者
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菅原 岳
松下電器産業(株)
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川口 靖利
松下電器
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横川 俊哉
松下電器産業(株)半導体研究センター
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石橋 明彦
松下電器産業株式会社先端技術研究所
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横川 俊哉
松下電器
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石橋 明彦
松下電器
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菅原 岳
松下電器
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青井 信雄
松下電器産業(株)
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横川 俊哉
松下電器産業(株)先行デバイス開発センター
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横川 俊哉
松下電器産業(株)、半導体研究センター
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青井 信雄
松下電子工業(株)半導体事業本部プロセス開発センター
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川口 靖利
松下電器産業株式会社 先端技術研究所
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菅原 岳
松下電器産業(株)中央研究所
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横川 俊哉
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
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久保 実
松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ
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久保 実
松下電器産業(株)
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久保 実
松下電器産業 先端技研
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新井 康司
松下電器産業(株)生産技術本部薄膜加工研究所
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真弓 周一
松下電子工業(株)半導体事業本部プロセス開発センター
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沢田 和幸
松下電器産業(株)生産技術本部薄膜加工研究所
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青井 信雄
松下電子工業(株)
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長谷川 義晃
松下電器
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沢田 和幸
松下電器産業
著作論文
- 多孔質層間絶縁膜材料の検討
- 層間絶縁膜として有機・無機ハイブリッドCVDの検討
- 高出力GaN系LDのためのInGaN-MQWの光学利得特性の改善
- エアブリッジ構造を有する低転位GaNの応力解析(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- エアブリッジ構造を有する低転位GaNの応力解析(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)