久保 実 | 松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ
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概要
関連著者
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久保 実
松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ
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久保 実
松下電器産業 先端技研
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松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ
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松下電器産業(株)先端技術研究所
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同志社大学工学部電子工学科
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松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ
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松下電器産業(株)半導体研究センター
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大西 照人
松下電器産業株式会社 先端技術研究所
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松下電器産業(株)半導体研究センター
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青井 信雄
松下電子工業(株)半導体事業本部プロセス開発センター
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原 義博
松下電器産業(株)通信デバイス開発センター
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菅原 岳
松下電器産業(株)中央研究所
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斉藤 徹
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
著作論文
- UHV-CVD法によるSiGeC混晶半導体のエピタキシャル成長
- 新しいシリコン系混晶材料Si_Ge_xC_yの成長
- SiGeCのUHV-CVD成長と応用
- 多孔質層間絶縁膜材料の検討
- 4a-PS-17 低速イオン散乱によるMBE成長GaAs表面ラフネスのその場観察
- 電気化学的方法を用いたAlCu系合金薄膜の腐食メカニズムの解析と表面硫化処理法による耐腐食性向上