豊田 健治 | 松下電器産業株式会社先端技術研究所

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関連著者

• 豊田 健治

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 上田 路人

  松下電器産業(株)先端技術研究所

• 上田 路人

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 森田 清之

  松下電器産業(株)半導体社

• 大塚 隆

  松下電器産業(株)中研

• 大塚 隆

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 森本 廉

  松下電器産業株式会社 中央研究所

• 森本 廉

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 森本 廉

  松下電器産業 (株) 半導体研究センター

• 森田 清之

  松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター

• 久保 実

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 神澤 好彦

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 幸 康一郎

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 浅井 明

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 高木 剛

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 神澤 好彦

  松下電器産業(株) 先行デバイス開発センター

• 幸 康一郎

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 浅井 明

  松下電器産業(株)先端技術研究所

• 浅井 明

  同志社大学工学部電子工学科

• 久保 実

  松下電器産業 先端技研

• 高木 剛

  松下電器産業(株)先行デバイス開発センター

• 能澤 克弥

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 能澤 克弥

  パナソニック先端技術研究所

• 井上 彰

  松下電器産業(株)先行デバイス開発センター

• 大西 照人

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 斉藤 徹

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 能澤 克弥

  松下電器産業(株)先端技術研究所半導体グループ

• 斎藤 徹

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 原 義博

  松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ

• 大西 照人

  松下電器産業株式会社 先端技術研究所

• 原 義博

  松下電器産業(株)通信デバイス開発センター

• 吉井 重雄

  パナソニック先端技術研究所

• 松川 望

  パナソニック先端技術研究所

• 豊田 健治

  パナソニック先端技術研究所

• 斉藤 徹

  松下電器産業 (株) 半導体研究センター

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著作論文

• UHV-CVD法によるSiGeC混晶半導体のエピタキシャル成長
• SiGeCのUHV-CVD成長と応用
• 強誘電体を用いた低電圧用負電位発生回路の提案(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• 強誘電体を用いた低電圧用負電位発生回路の提案(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• 強誘電体を用いた低電圧用負電位発生回路の提案(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• 強誘電体を用いた低電圧用負電位発生回路の提案(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• A-1-30 強誘電体プログラマブル・ロジック・デバイスの動作安定化検討
• 26aTA-4 エピタキシャル金属薄膜上CVD成長グラフェンのRamanスペクトル(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))

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