強誘電体を用いた低電圧用負電位発生回路の提案(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 強誘電体を用いた新しい負電位発生回路を提案する。この回路は、強誘電体キャパシタと常誘電体キャパシタとの直列接続回路の接続ノードに負の電位が発生する現象を利用しており、正の供給電圧から負の電圧を発生することができる。回路シミュレータSPICEによる回路動作の解析、実験による回路の動作実証結果を報告する。また、低電圧においても、高出力の電圧が得られるために必要な強誘電体材料のスペックについて定量化した。この提案回路は、MOSトランジスタの待機時のリーク電流抑制に応用可能であると考えられる。

• 2003-06-27

著者

• 上田 路人

  松下電器産業(株)先端技術研究所

• 豊田 健治

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 上田 路人

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 森田 清之

  松下電器産業(株)半導体社

• 大塚 隆

  松下電器産業(株)中研

• 森本 廉

  松下電器産業株式会社 中央研究所

• 森本 廉

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 森本 廉

  松下電器産業 (株) 半導体研究センター

• 大塚 隆

  松下電器産業株式会社先端技術研究所

• 森田 清之

  松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター

関連論文

• A-2-1 確率的信号変換によるノイズ・ロバストな情報処理(A-2. 非線形問題,一般セッション)
• D-7-1 FPGA実装を目指した分子生体シミュレーター(D-7. MEとバイオサイバネティックス,一般セッション)
• D-7-2 確率的ベクトルマッチングの細胞走電性運動モデルへの適用(D-7. MEとバイオサイバネティックス,一般セッション)
• UHV-CVD法によるSiGeC混晶半導体のエピタキシャル成長
• SiGeCのUHV-CVD成長と応用
• A-1-11 ストカスティック・コンピューティングによるマンハッタン距離の高速近似プロセッサ(A-1. 回路とシステム, 基礎・境界)
• A-2-11 Joint-PSTH解析による複数の閾値素子出力間の相関評価(A-2.非線形問題,一般講演)
• 強誘電体を用いた低電圧用負電位発生回路の提案(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• 強誘電体を用いた低電圧用負電位発生回路の提案(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• 強誘電体を用いた低電圧用負電位発生回路の提案(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• 強誘電体を用いた低電圧用負電位発生回路の提案(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• A-1-30 強誘電体プログラマブル・ロジック・デバイスの動作安定化検討
• 28p-K-13 溶液気化方式MOCVD膜中における残留カーボンの評価
• 極薄酸化膜を介したシリコンバンド間トンネル素子の形成と評価
• 極薄酸化膜を介したシリコンバンド間トンネル素子の形成と評価
• 低電圧化シリコン微構造電子源
• 薄膜絶縁層を有するSiトンネルダイオードの作製と実証
• シリコンを用いた量子化機能素子の研究開発 (特集 量子化機能素子プロジェクト)
• 極薄絶縁膜を用いた新しいSiバンド間トンネルダイオードとそのメモリ応用 (特集:Siナノデバイス)
• シリコン量子細線の作製とその伝導特性
• 回折形静電マイクロ光スイッチ
• D-2-9 FPGA実装を目指したStochastic Computingによる混合信号分離回路(D-2. ニューロコンピューティング,一般セッション)
• 26aTA-4 エピタキシャル金属薄膜上CVD成長グラフェンのRamanスペクトル(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 強誘電体ゲートトランジスタを用いたシナプス素子におけるSTDP機能の実証

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク