26aTA-4 エピタキシャル金属薄膜上CVD成長グラフェンのRamanスペクトル(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-03-03
著者
-
豊田 健治
松下電器産業株式会社先端技術研究所
-
能澤 克弥
松下電器産業(株)先端技術研究所次世代半導体研究グループ
-
吉井 重雄
パナソニック先端技術研究所
-
能澤 克弥
パナソニック先端技術研究所
-
松川 望
パナソニック先端技術研究所
-
豊田 健治
パナソニック先端技術研究所
関連論文
- UHV-CVD法によるSiGeC混晶半導体のエピタキシャル成長
- 新しいシリコン系混晶材料Si_Ge_xC_yの成長
- SiGeCのUHV-CVD成長と応用
- 強誘電体を用いた低電圧用負電位発生回路の提案(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 強誘電体を用いた低電圧用負電位発生回路の提案(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 強誘電体を用いた低電圧用負電位発生回路の提案(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 強誘電体を用いた低電圧用負電位発生回路の提案(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- A-1-30 強誘電体プログラマブル・ロジック・デバイスの動作安定化検討
- バイオナノプロセスによる電子デバイス作製の展望 (特集 ナノテクノロジー)
- 26aTA-4 エピタキシャル金属薄膜上CVD成長グラフェンのRamanスペクトル(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aDH-6 顕微ラマンおよび顕微反射分光イメージングによるねじれ積層グラフェンの評価(グラフェン(電磁効果・電子相関),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))