反応性イオン・エッチングによる損傷をもつショットキ-・ダイオ-ドの誘導性サセプタンス
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- UHV-CVD法によるSiGeC混晶半導体のエピタキシャル成長
- SiGeCのUHV-CVD成長と応用
- SiGe-ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- SiGe-ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- SiGe-ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- SiGeチャネルヘテロ構造CMOS
- 反応性イオンエッチングによるシリコン表面損傷の電流-電圧特性を用いた評価
- 量子化機能素子研究開発の現状 (小特集:量子化機能素子) -- (量子化機能素子プロジェクトの進捗状況)
- 反応性イオン・エッチングによる損傷をもつショットキ-・ダイオ-ドの誘導性サセプタンス
- 反応性イオンエッチングによる損傷層をもつAu/P-Siダイオードのアドミタンス特性