小林 啓介 | 光共研
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概要
関連著者
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小林 啓介
光共研
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大門 寛
阪大基礎工
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村田 好正
東大物性研
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小林 啓介
日立中研
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大門 寛
東大物性研
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中島 尚男
東大物性研
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片山 良史
日立中研
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中島 尚男
光共研
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渡辺 望
光共研
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窪田 政一
東大物性研
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大門 寛
物性研
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村田 好正
物性研
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石坂 彰利
株式会社日立製作所中央研究所
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石坂 彰利
日立中研
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嶋田 寿一
日立中研
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蒋 長根
東大物性研
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白木 靖寛
日立中研
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蒋 長根
東大物性研:(現)中国科学院物理研究所
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小林 啓介
物材機構
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菅 滋正
物性研
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谷口 雅樹
物性研
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小林 啓介
光技術共同研究所
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小林 啓介
物性研
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白木 靖寛
日立
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小林 啓介
阪大理
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関 正美
物性研
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神前 煕
物性研
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関 正美
東大物性研
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辛 埴
物性研
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竹内 延夫
国立公害研
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竹内 延夫
東大物性研
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矢島 達夫
東大物性研
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大塚 エイミ
阪大教養
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宇田 毅
日立中研
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菅城 象二郎
日立中研
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大門 寛
日立中研
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村田 好正
日立中研
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成沢 忠
光共研
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成沢 忠
半導体研究センター
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神前 煕
富士フィルム足研
著作論文
- 3p-RJ-2 Al-GaAs(110)界面の共鳴光電子放出のAl被覆度依存性
- 12p-Y-7 Al-GaAs(110)におけるAl2p内殻励起子と共鳴電子放出
- 30p-P-8 半導体の内殻励起領域における光電子分光
- 7a-B-12 パルス電場変調によるサイクロトロン共鳴
- 3a-TC-16 GaAsの共鳴光電子放出
- 27a-SB-10 光電子分光法によるa-Si_xC_ : Hの価電子帯の検討 (III)
- 30p-P-7 NiySi(y=0, 0.5, 1, 1.5, 2, 2.5, 3)からの共鳴型光電子放出 II
- 30a-B-11 光電子分光法によるa-Si_xC_:Hの価電子帯の検討 (II)
- 31p-F-4 価電子状態と内殻励起
- 30a-F-13 a-Si_xC_:Hの光電子分光法による検討
- 2p-NM-4 Ni/Si界面電子構造-NiSiyの光電子分光
- 3a-NGH-23 NiSi_x(x=0,2/5,1/2,2/3,1/1,2/1,∞)からの共鳴型光電子放出
- 31a-J-5 Ni/Si界面のシンクロトロン放射による光電子分光
- 5p-DR-20 清浄Si-Al界面における結合状態(I)
- 1p-BE-12 AESによる清浄AL表面の吸着現象の検討
- 3a-E-12 MeVイオン散乱によるGaAs(001)表面構造
- 31a-L-5 InSb(110)表面における内殻準位シフト